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? 3 Micron Radiation Hardened SOS CMOS
? Total Dose 200K RAD (Si)
? SEP Effective LET No Upsets: >100 MEV-cm2/mg
? Single Event Upset (SEU) Immunity < 2 x 10-9 Errors/Bit-Day
(Typ)
? Dose Rate Survivability: >1 x 1012 RAD (Si)/s
? Dose Rate Upset >1010 RAD (Si)/s 20ns Pulse
? Cosmic Ray Upset Immunity < 2 x 10-9 Errors/Gate Day (Typ)
? Latch-Up Free Under Any Conditions
? Military Temperature Range: -55oC to +125oC
? Significant Power Reduction Compared to LSTTL ICs
? DC Operating Voltage Range: 4.5V to 5.5V
? Input Logic Levels
- VIL = 30% of VCC Max
- VIH = 70% of VCC Min
? Input Current Levels Ii ≤ 5μA at VOL, VOH
? 3 Micron Radiation Hardened SOS CMOS
? Total Dose 200K RAD (Si)
? SEP Effective LET No Upsets: >100 MEV-cm2/mg
? Single Event Upset (SEU) Immunity < 2 x 10-9 Errors/Bit-Day
(Typ)
? Dose Rate Survivability: >1 x 1012 RAD (Si)/s
? Dose Rate Upset >1010 RAD (Si)/s 20ns Pulse
? Cosmic Ray Upset Immunity < 2 x 10-9 Errors/Gate Day (Typ)
? Latch-Up Free Under Any Conditions
? Military Temperature Range: -55oC to +125oC
? Significant Power Reduction Compared to LSTTL ICs
? DC Operating Voltage Range: 4.5V to 5.5V
? Input Logic Levels
- VIL = 30% of VCC Max
- VIH = 70% of VCC Min
? Input Current Levels Ii ≤ 5μA at VOL, VOH
HC
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