資料介紹
STM32F101xC/STM32F101xD/STM32F101xE中文資料:本文給出了STM32F101xC、STM32F101xD和STM32F101xE基本型的訂購信息和器件的機(jī)械特性。
有關(guān)閃存存儲器的編程、擦除和保護(hù)等信息,請參考《STM32F10xxx閃存編程參考手冊》。有關(guān)Cortex?-M3的信息,請參考《Cortex?-M3技術(shù)參考手冊》
2規(guī)格說明
STM32F101xC、STM32F101xD和STM32F101xE基本型系列使用高性能的ARM? Cortex?-M3 32位的RISC內(nèi)核,工作頻率為36MHz,內(nèi)置高速存儲器(高達(dá)512K字節(jié)的閃存和48K字節(jié)的SRAM),豐富的增強(qiáng)I/O端口和聯(lián)接到兩條APB總線的外設(shè)。所有型號的器件都包含1個(gè)12位的ADC、4個(gè)通用16位定時(shí)器,還包含標(biāo)準(zhǔn)和先進(jìn)的通信接口:多達(dá)2個(gè)I2C、3個(gè)SPI、5個(gè)USART。
STM32F101xC、STM32F101xD和STM32F101xE基本型系列工作于-40°C至+85°C的溫度范圍,供電電壓2.0V至3.6V,一系列的省電模式保證低功耗應(yīng)用的要求。
完整的STM32F101xC、STM32F101xD和STM32F101xE基本型系列產(chǎn)品包括從64腳至144腳的三種不同封裝形式;根據(jù)不同的封裝形式,器件中的外設(shè)配置不盡相同。下面給出了該系列產(chǎn)品中所有外設(shè)的基本介紹。
有關(guān)閃存存儲器的編程、擦除和保護(hù)等信息,請參考《STM32F10xxx閃存編程參考手冊》。有關(guān)Cortex?-M3的信息,請參考《Cortex?-M3技術(shù)參考手冊》
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STM32F101xC、STM32F101xD和STM32F101xE基本型系列使用高性能的ARM? Cortex?-M3 32位的RISC內(nèi)核,工作頻率為36MHz,內(nèi)置高速存儲器(高達(dá)512K字節(jié)的閃存和48K字節(jié)的SRAM),豐富的增強(qiáng)I/O端口和聯(lián)接到兩條APB總線的外設(shè)。所有型號的器件都包含1個(gè)12位的ADC、4個(gè)通用16位定時(shí)器,還包含標(biāo)準(zhǔn)和先進(jìn)的通信接口:多達(dá)2個(gè)I2C、3個(gè)SPI、5個(gè)USART。
STM32F101xC、STM32F101xD和STM32F101xE基本型系列工作于-40°C至+85°C的溫度范圍,供電電壓2.0V至3.6V,一系列的省電模式保證低功耗應(yīng)用的要求。
完整的STM32F101xC、STM32F101xD和STM32F101xE基本型系列產(chǎn)品包括從64腳至144腳的三種不同封裝形式;根據(jù)不同的封裝形式,器件中的外設(shè)配置不盡相同。下面給出了該系列產(chǎn)品中所有外設(shè)的基本介紹。
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