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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電路圖紙>控制電路>基于SOI高壓集成技術(shù)的電平位移電路及器件的設(shè)計(jì)

      基于SOI高壓集成技術(shù)的電平位移電路及器件的設(shè)計(jì)

      2017-11-06 | rar | 0.3 MB | 次下載 | 免費(fèi)

      資料介紹

      　　本文設(shè)計(jì)了一種應(yīng)用于負(fù)電源的電平位移電路。實(shí)現(xiàn)從 0～8V 低壓邏輯輸入到 8～-100V 高壓驅(qū)動(dòng)輸出的轉(zhuǎn)換。分析了該電路的結(jié)構(gòu)和工作原理?；诖穗娐方Y(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)了滿(mǎn)足應(yīng)用要求的高壓薄膜 SOI LDMOS 器件。分析了器件的工作狀態(tài)以及耐壓機(jī)理，并利用工藝器件聯(lián)合仿真對(duì)器件的電學(xué)特性進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)。

      　　隨著智能功率 IC 的發(fā)展．其應(yīng)用領(lǐng)域和功能都在不斷地?cái)U(kuò)展。而作為智能功率 IC 中的重要一類(lèi)柵驅(qū)動(dòng) IC 在功率開(kāi)關(guān)、顯示驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。在柵驅(qū)動(dòng)電路中需要電平位移電路來(lái)實(shí)現(xiàn)從低壓控制輸入到高壓驅(qū)動(dòng)輸出的電平轉(zhuǎn)換。而在一些領(lǐng)域如 SOC 中的待機(jī)模式激活、ESD 保護(hù)等需要能工作在負(fù)電源的電平位移電路。

      　　SOI（Silicon-On-Insulator）技術(shù)以其高速、低功耗、高集成度、極小的寄生效應(yīng)以及良好的隔離等特點(diǎn)，在集成電路設(shè)計(jì)應(yīng)用中倍受青睞。其優(yōu)良的介質(zhì)隔離性能使得智能功率 IC 中高低壓器件的隔離更為完善。

      基于SOI高壓集成技術(shù)的電平位移電路及器件的設(shè)計(jì)

      SOI
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