模擬集成電路的分析與設(shè)計(jì)目錄 第一章　集成電路放大器件模型
　1.1　引言
　1.2　pn結(jié)的耗盡區(qū)
　　1.2.1　勢(shì)壘電容
　　1.2.2　結(jié)擊穿
　1.3　雙極型晶體管的大信號(hào)特性
　　1.3.1　正向放大區(qū)的大信號(hào)模型
　　1.3.2　集電極電壓對(duì)正向放大區(qū)大信號(hào)特性的影響
　　1.3.3　飽和區(qū)和反向放大區(qū)
　　1.3.4　晶體管擊穿電壓
　　1.3.5　工作條件決定晶體管電流增益
　1.4　雙極型晶體管的小信號(hào)模型
　　1.4.1　跨導(dǎo)
　　1.4.2　基區(qū)寄生電容
　　1.4.3　輸入電阻
　　1.4.4　輸出電阻
　　1.4.5　雙極型晶體的基本小信號(hào)模型
　　1.4.6　集電極－－基極電阻
　　1.4.7　小信號(hào)模型的寄生單元
　　1.7.8　晶體管頻率呼應(yīng)特性
　1.5　金屬氧化物效晶體管的大信號(hào)特性
　　1.5.1　MOS器件的轉(zhuǎn)移特性
　　1.5.2　雙極型晶體管和MOS晶體管工作區(qū)的比較
　　1.5.3　柵－源電壓的分解
　　1.5.4　閾值的溫度獨(dú)立性
　　1.5.5　MOS器件的電壓限制
　1.6　MOS晶體管的小信號(hào)模型
　　1.6.1　跨導(dǎo)
　　1.6.2　柵－源以及柵－漏固有電容
　　1.6.3　輸入電阻
　　1.6.4　輸出電阻
　　1.6.5　MOS晶體管的基本小信號(hào)模型
　　1.6.6　襯底跨導(dǎo)
　　1.6.7　小信號(hào)模型的寄生單元
　　1.6.8　MOS晶體管的頻率呼應(yīng)
　1.7　MOS晶體管的短溝道效應(yīng)
　　1.7.1　水平場(chǎng)中的速率飽和
　　1.7.2　跨導(dǎo)和特征頻率
　　1.7.3　垂直場(chǎng)中的遷移率下降
　1.8　MOS晶體客中的弱反型
　　1.8.1　弱反型中的漏極電流
　　1.8.2　弱反型區(qū)中的跨導(dǎo)和特征頻率
　1.9　晶體管中的襯底電流
　附錄
　　A.1.1　有源器件參數(shù)列表
第二章　雙極型、MOS和BiCMOS集成電路技術(shù)
　2.1　引言
　2.2　集成電路產(chǎn)生的基本過程
　　2.2.1　硅的電阻率
　　2.2.2　固態(tài)擴(kuò)散
　　2.2.3　擴(kuò)散層的電特性
　　2.2.4　光刻工藝
　　2.2.5　外延生長(zhǎng)
　　2.2.6　離子注入
　　2.2.7　局部氧化
　　2.2.8　多晶硅的淀積
　2.3　高壓雙極型集成電路的制造
　2.4　高級(jí)雙極型集成電路的制造
　2.5　雙極型模擬集成電路中的放大器件
　　2.5.1　npn型晶體管集成電路
　　2.5.2　npn型晶體管集成電路
　2.6　雙極型集成電路中的無源元件
　　2.6.1　擴(kuò)散電阻　
　　2.6.2　外延生長(zhǎng)電阻和外延夾斷
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第三章　單級(jí)放大器與多級(jí)放大器
第四章　鏡像電流源、有源負(fù)載和基準(zhǔn)源
第五章　輸出級(jí)
第六章　單端輸出的運(yùn)算放大器
第七章　集成電路的頻率響應(yīng)
第八章　反饋
第九章　反饋放大器的頻率響應(yīng)
第十章　非線性模擬電路
第十一章　集成電路的噪聲
第十二章　全差分運(yùn)算放大器