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Construction Strategy of ESD Protection Circuit
Abstract： The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic concept
ions of ESD protection design are presented.
Key words：ESD protection/On circuit, ESD design window, ESD current path
1 引言
靜電放電（ESD，Electrostatic Discharge）給電子器件環(huán)境會(huì)帶來(lái)破壞性的后果。
它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展，互補(bǔ)金屬氧化物半
導(dǎo)體（CMOS，Complementary Metal-Oxide Semiconductor）的特征尺寸不斷縮小，
金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS, Metal-Oxide Semiconductor)的柵氧厚度越來(lái)越薄，MOS 管
能承受的電流和電壓也越來(lái)越小，因此要進(jìn)一步優(yōu)化電路的抗ESD 性能，需要從全芯片
ESD 保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)來(lái)進(jìn)行考慮。
Abstract： The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic concept
ions of ESD protection design are presented.
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1 引言
靜電放電（ESD，Electrostatic Discharge）給電子器件環(huán)境會(huì)帶來(lái)破壞性的后果。
它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展，互補(bǔ)金屬氧化物半
導(dǎo)體（CMOS，Complementary Metal-Oxide Semiconductor）的特征尺寸不斷縮小，
金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS, Metal-Oxide Semiconductor)的柵氧厚度越來(lái)越薄，MOS 管
能承受的電流和電壓也越來(lái)越小，因此要進(jìn)一步優(yōu)化電路的抗ESD 性能，需要從全芯片
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