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反相器也是CMOS
VLSI電路中的蛀
基奉的單元電路。常
用的CMOS靜態(tài)反相
器有三韓， 如圖5．1
所示。CMOS反相器
是由一對互補的MOSFET
組成的 通常
總是用PMOSFET作
為上拉元件，用NMOSFET作為下拉元件，以便和其
它類型的MOS電路及TTL電路的電平相匹配。圖5．1
(a)所示反相器是最基奉的。圖5．I(b)是時鐘控制的
CMOS反相器，當 =l耐，相當于圖5．1 )串聯(lián)了一個
等效電阻，其它方面和腰5．1(a)一樣}而當 =0時
共輸出為高阻志，所以它是一個“三態(tài)反相門 圈5．1
(c)實際上是一個以PMOSFET作為負截電阻的有比
反相器．其特性和分薪方法與EID NMOS電路十分
類似。它主要用在多輸入端的畿非n矩陣緒構(gòu)中， 從
而省擊多輸入對的多個PMOSFET及眾多的連線，可
取節(jié)省大量芯片面積．所以它被廣琵地用于耀肆式的
VL$1電路中。盡管這種電路增大了直流功耗，但在
炬陣中可以采用動態(tài)俠電，從而緩和了選一矛盾。
VLSI電路中的蛀
基奉的單元電路。常
用的CMOS靜態(tài)反相
器有三韓， 如圖5．1
所示。CMOS反相器
是由一對互補的MOSFET
組成的 通常
總是用PMOSFET作
為上拉元件，用NMOSFET作為下拉元件，以便和其
它類型的MOS電路及TTL電路的電平相匹配。圖5．1
(a)所示反相器是最基奉的。圖5．I(b)是時鐘控制的
CMOS反相器，當 =l耐，相當于圖5．1 )串聯(lián)了一個
等效電阻，其它方面和腰5．1(a)一樣}而當 =0時
共輸出為高阻志，所以它是一個“三態(tài)反相門 圈5．1
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而省擊多輸入對的多個PMOSFET及眾多的連線，可
取節(jié)省大量芯片面積．所以它被廣琵地用于耀肆式的
VL$1電路中。盡管這種電路增大了直流功耗，但在
炬陣中可以采用動態(tài)俠電，從而緩和了選一矛盾。
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