資料介紹
文章介紹采用軟磁薄膜集成制造的平面?zhèn)鬏斁€型射頻(RF)噪聲抑制器。該抑制器的縱向結(jié)構(gòu)是由 ① 軟磁薄膜(2mm×15mm×1.2μm);② 聚酰亞胺膜(2μm厚);③ 銅(Cu)箔(15.2m長×3μm厚)傳輸線;④ Ti/Cu 籽晶層;⑤ 玻璃基片(1mm 厚度)等組成的。共平面?zhèn)鬏斁€用電鍍銅的方法制備,其特性阻抗為 50Ω。信號線寬為50μm。軟磁膜采用射頻磁控濺射淀積法制造,基本軟磁膜為 CoPdAlO 和 CoNbZr 合金材料。將這種磁膜集成式射頻噪聲抑制器與非集成射頻噪聲抑制器比較,以噪聲抑制器的共振點信號衰減量為例,用 1μm 厚度的 CoNbZr 膜時,信號的衰減量從 -4dB 增大到 -30dB;用 CoPdAlO 膜(2μm 厚度)時,則從 -15dB 增大到 -57dB。可見其抑制電磁噪聲的效果顯著。

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