資料介紹
通常以為T(mén)TL門(mén)的速度高于“CMOS門(mén)電路。影響TTL門(mén)電路工作速度的主要因素是電路內(nèi)部管子的開(kāi)關(guān)特性、電路結(jié)構(gòu)及內(nèi)部的各電阻數(shù)值。電阻數(shù)值越大,作速度越低。管子的開(kāi)關(guān)時(shí)間越長(zhǎng),門(mén)的工作速度越低。門(mén)的速度主要體現(xiàn)在輸出波形相對(duì)于輸入波形上有“傳輸延時(shí)”tpd。將tpd與空載功耗P的乘積稱(chēng)“速度-功耗積”,做為器件性能的一個(gè)重要指標(biāo),其值越小,表明器件的性能越 好(一般約為幾十皮(10-12)焦耳)。與TTL門(mén)電路的情況不同,影響CMOS電路工作速度的主要因素在于電路的外部,即負(fù)載電容CL。CL是主要影響器件工作速度的原因。由CL所決定的影響CMOS門(mén)的傳輸延時(shí)約為幾十納秒。
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