資料介紹
介紹
半導體冷MOSFET新技術熱增強,wdfn6 2x2 506an包非常小,專門解決電源便攜式設備的管理挑戰(zhàn)同步降壓和升壓電路,高,低側負載鋰離子電池和開關,?充電電路。本技術筆記討論雙位wdfn6506an器件封裝的概述,墊模式,評價板布局和熱性能。
概述
wdfn6平臺提供了一個通用性使無論是單或雙半導體器件在無引線封裝內實現(xiàn)。圖1說明了一個雙位wdfn 6半導體器件封裝和?引腳描述。半蝕刻引線框架的補充?模具鎖功能允許這種無鉛封裝提供用于優(yōu)異導熱性的暴露排水墊降低電氣寄生效應。這個低調(《 0.8毫米)緊湊的設計是類似于流行的DFN、QFN封裝允許在薄環(huán)境中易于安裝。建議印制電路板安裝標準指南在應用筆記and8211 / D概述,“板級應用筆記DFN和QFN封裝”。

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