資料介紹
場(chǎng)效應(yīng)管 (MOSFET)是一種外形與普通晶體管相似, 但控制特性不同的半導(dǎo)體器件。 它的輸入電阻可高達(dá) 1015W,且工藝簡(jiǎn)單, 十分適用于大規(guī)模及超大規(guī)模集成電路, 根據(jù)其導(dǎo)電方式的不同,而分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。由于 P溝道與 N溝道的工作原理大致相同, 僅在導(dǎo)電載流子與供電電壓極性上有所區(qū)別,因此本文主要以介紹 N 溝道 MOS 場(chǎng)效應(yīng)管為主。增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管所謂增強(qiáng)型是指:當(dāng) VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài),加上正確的 VGS后,多數(shù)載流子被吸引到柵極,從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的載流子,形成導(dǎo)電溝道。常用的增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào): 10n60、4N60F (1)N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管工作原理及作用介紹根據(jù)圖 1,N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET基本上是一種左右對(duì)稱的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),它是在 P 型半導(dǎo)體上生成一層 SiO2 薄膜絕緣層,然后用光刻工藝擴(kuò)散兩個(gè)高摻雜的 N 型區(qū),從 N 型區(qū)引出電極(漏極 D、源極 S)。在源極和漏極之間的絕緣層上鍍一層金屬鋁作為柵極 G。 P型半導(dǎo)體稱為襯底,用符號(hào) B 表示。
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