本文來解析一個盆友在使用STM32采集電池電壓踩過的坑。以STM32F4 的ADC屬于逐次逼近SAR 型ADC為例進行分析，參考STM32F405xx ?Datasheet，對于如何編寫ADC程序就不做描述了。 先描述一下坑 采集電池電壓，利用兩個電阻將電池電壓分壓，然后送入單片機，當電阻如上分別取4M歐/1M歐時，ADC采集到的ADC值與萬用表測得的ADC輸入端相差很大，取30K歐以及10k歐時，則相差變小。 盆友咨詢我這是為什么？我給出了建議，先賣個關(guān)子，先來看看應(yīng)用最為廣泛的STM32單片機的一些特性。 STM32 ADC： STM32 12位ADC是逐次逼近型的模數(shù)轉(zhuǎn)換器。它有多達19個多路復用通道，允許它測量來自16個外部源、2個內(nèi)部源和VBAT通道的信號。通道的A/D轉(zhuǎn)換可以在單次、連續(xù)、掃描或間斷模式下進行。ADC的結(jié)果存儲在左對齊或右對齊的16位數(shù)據(jù)寄存器中。模擬看門狗功能允許應(yīng)用程序檢測輸入電壓是否超過用戶定義的、更高或更低的閾值。 主要功能，具體操作，怎么編程這些細節(jié)，有大量的資料就不羅嗦了，主要來看看電氣特性。 電氣特性 1、ADC 可支持采樣頻率fADC受供電電壓影響，供電電壓高，可支持采樣頻率范圍更高 2、可支持輸入電壓VAIN范圍須在參考電壓范圍內(nèi) 3、外部輸入阻阻抗RAIN最大為 4、開關(guān)切換阻抗RADC 最大為 5、內(nèi)部采樣保持電容CADC為4pF 上面的公式用于確定誤差小于1/4 LSB時允許的最大外阻抗。N = 12(12位分辨率)，k是在ADC_SMPR1寄存器中定義的采樣周期數(shù)。 ADC精度vs.負注入電流:應(yīng)該避免在任何模擬輸入引腳上注入負電流，因為這會顯著降低在另一個模擬輸入上執(zhí)行轉(zhuǎn)換的精度。建議在模擬引腳上增加一個肖特基二極管(引腳接地)，這可能會注入負電流。 Page 136 圖例（上圖中標識解釋）： 1、見表68 2、實際轉(zhuǎn)移曲線的示例。 3、理想轉(zhuǎn)移曲線 4、終點相關(guān)線 5、ET =未調(diào)整總誤差：實際和理想傳遞曲線之間的最大偏差。EO =偏移誤差：第一個實際過渡與第一個理想過渡之間的偏差。EG =增益誤差：最后一個理想過渡與最后一個實際過渡之間的偏差。ED =微分線性誤差：實際步長與理想步長之間的最大偏差。EL =積分線性誤差：任何實際過渡和終點相關(guān)線之間的最大偏差。 寄生電容表示PCB的電容（取決于焊接和PCB布局質(zhì)量）加上焊盤電容（大約5 pF）。寄生電容值高會降低轉(zhuǎn)換精度。為了解決這個問題，應(yīng)該減少fADC。 回到坑里 將盆友的電路等效繪制一下，忽略ADC采樣通道內(nèi)部ESD保護二極管，以及等效電流源，如下圖： 好了，這圖一畫出來，問題的原因就顯而易見了，SAR ADC是將采樣電容上的電壓通過逐次逼近原理轉(zhuǎn)換為數(shù)字量的，按上述圖，由于R2為兆級電阻，那么等效加載在采樣電容上的電壓就不能簡單的看成是R1/R2的分壓了，此時ADC的輸入阻抗在百50K歐級別，簡化定性看一下，忽略分布電容影響，計算方便將輸入阻抗看成50K直流電阻（實際深入動態(tài)分析的話則不可忽略,假定電池電壓為5V），具體計算就不做了。 為什么電阻選這么大呢？我想估計是為了將電池電壓監(jiān)控取樣回路的電流降低，以節(jié)省電量。 跳出坑里 怎么辦呢？我覺得這樣應(yīng)該可以： 找一個低功耗的運放做一個阻抗變換就可以兼顧兩者需求，當然如果更完善一點，還可以考慮串入一個RC低通濾波環(huán)節(jié)，可以有效降低噪聲。 總結(jié)一下 對于單片機ADC的使用，個人總結(jié)了這幾點： 將輸入短路，可測量熱噪聲。實際應(yīng)用時，將輸入端短路，采集一定數(shù)量的樣本，由于熱噪聲符合高斯分布，可計算出其期望、方差，接入真實信號可以利用統(tǒng)計規(guī)律進行相應(yīng)的噪聲濾波處理。 量化噪聲，可以通過輸入一定幅度及頻率的正弦波，進行度量系統(tǒng)的量化噪聲。