脈寬調(diào)制整流技術(shù)具有非常廣闊的應(yīng)用前景。從功率器件，主電路拓樸和控制方法三個(gè)方面對(duì)其進(jìn)行了詳細(xì)的介紹，并對(duì)其未來(lái)發(fā)展進(jìn)行了預(yù)測(cè)。
關(guān)鍵詞：脈寬調(diào)制整流器；功率器件；電路拓?fù)洌豢刂品椒?BR>引言
隨著電力電子技術(shù)的迅速發(fā)展，各種電力電子裝置在電力系統(tǒng)、工業(yè)、信息、交通、家庭等眾多領(lǐng)域中的應(yīng)用日益廣泛。電力電子裝置的非線性，引起網(wǎng)側(cè)電流、電壓波形的嚴(yán)重畸變，導(dǎo)致了日趨嚴(yán)重的諧波污染。相關(guān)資料表明，電力電子裝置生產(chǎn)量在未來(lái)的十年中將以每年不低于10％的速度遞增，由這類裝置所產(chǎn)生的高次諧波約占總諧波源的70％以上。因此，諧波治理勢(shì)在必行。
為了抑制電力電子裝置產(chǎn)生的諧波，功率因數(shù)校正技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。本文主要對(duì)與PWM整流器相關(guān)的功率開關(guān)器件、主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和控制方式等進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，在此基礎(chǔ)上對(duì)PWM整流技術(shù)的發(fā)展方向加以探討。
1 功率開關(guān)器件
PWM整流器的基礎(chǔ)是電力電子器件，其與普通整流器和相控整流器的不同之處是采用了全控型器件。目前在PWM整流器中得到廣泛應(yīng)用的電力電子器件主要有如下幾種。
1.1 門極可關(guān)斷晶閘管(GTO)
GTO是最早的大功率可關(guān)斷器件，是目前阻斷電壓最高和通態(tài)電流最大的全控型器件，已達(dá)6kV/6kA的制造水平。它由門極控制導(dǎo)通和關(guān)斷，具有通過(guò)電流大、通態(tài)電壓低、導(dǎo)通損耗小，dv/dt耐量高等優(yōu)點(diǎn)，在大功率的場(chǎng)合應(yīng)用較多。但是，GTO的缺點(diǎn)也很明顯，諸如其驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜并且驅(qū)動(dòng)功率大，導(dǎo)致關(guān)斷時(shí)間長(zhǎng)，限制了器件的開關(guān)頻率；關(guān)斷過(guò)程中的集膚效應(yīng)容易導(dǎo)致局部過(guò)熱，嚴(yán)重情況下使器件失效；為了限制dv/dt，需要復(fù)雜的緩沖電路，這些都限制了GTO在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用，現(xiàn)在GTO主要應(yīng)用在中、大功率場(chǎng)合。
1.2 電力晶體管（GTR）
電力晶體管又稱為巨型晶體管，是一種耐高壓、大電流的雙極型晶體管，該器件與GTO一樣都是電流控制型器件，因而所需驅(qū)動(dòng)功率較大，但其開關(guān)頻率要高于GTO，因而自20世紀(jì)80年代以來(lái)，主要應(yīng)用于中小功率的變頻器或UPS電源等場(chǎng)合。目前其地位大多被絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和功率場(chǎng)效應(yīng)管（PowerMOSFET）所取代。
1.3 功率場(chǎng)效應(yīng)管（PowerMOSFET）
功率場(chǎng)效應(yīng)管是用柵極電壓來(lái)控制漏極電流的，屬于電壓控制型器件，因此，它的第一個(gè)顯著特點(diǎn)是驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，需要的驅(qū)動(dòng)功率?。坏诙€(gè)顯著特點(diǎn)是開關(guān)速度快，工作頻率高。另外，PowerMOSFET的熱穩(wěn)定性優(yōu)于GTR。但是PowerMOSFET電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過(guò)10kW的場(chǎng)合。