資料介紹
摘要:敘述了基于P型硅半導(dǎo)體中的熱載流子效應(yīng)研制成功的一種單脈沖高功率微波探測(cè)器。這種高功率微波探測(cè)器具有承受微波功率高(比普通檢波器高近六個(gè)量級(jí))、時(shí)間響應(yīng)快(響應(yīng)時(shí)間小于2.0ns)等特點(diǎn)。探測(cè)器由P型硅傳感單元和標(biāo)準(zhǔn)波導(dǎo)組成,其工作頻率范圍為波導(dǎo)的工作頻率范圍,根據(jù)不同需求可以在3.0GHz至30GHz的頻率范圍內(nèi)制作成多種不同型號(hào)的探測(cè)器。也給出了工作在X波段的這種探測(cè)器的標(biāo)定方法和標(biāo)定結(jié)果,標(biāo)定結(jié)果表明探測(cè)器的輸出信號(hào)幅度正比于注入微波功率,輸出電壓值可達(dá)10V。該探測(cè)器很適合于高功率微波峰值功率測(cè)量,尤其在電磁干擾環(huán)境中具有優(yōu)勢(shì),為解決目前高功率微波功率測(cè)量不準(zhǔn)的技術(shù)難題提供了一種有效的技術(shù)手段。
關(guān)鍵詞:高功率微波 探測(cè)器 半導(dǎo)體 熱載流子
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