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在電壓降壓（降壓調(diào)節(jié)器）應(yīng)用中獲得非常高的效率通常需要使用N溝道、低通電阻MOSFET開關(guān)。在轉(zhuǎn)換器的高側(cè)驅(qū)動這些增強模式設(shè)備的困難是，它們需要在輸入電源上方的柵極電壓來導通。這必然要求一個額外的電源電壓僅為高邊柵極驅(qū)動器。雖然P溝道器件的柵極驅(qū)動簡單起見，一個可行的選擇，其相關(guān)的成本和更高的性能限制了應(yīng)用程序的數(shù)量。通常，P溝道FET用于Buck穩(wěn)壓器輸出電流小于4安培，左右。然而，許多1.8伏通過3.3伏邏輯系統(tǒng)的需求往往在10安培附近，迫使使用N通道設(shè)備。
電路如圖1所示。采用常規(guī)電壓模式控制的Buck調(diào)節(jié)器應(yīng)用ucc3803 BiCMOS PWM控制器。通常，IC需要從輸入到降壓轉(zhuǎn)換器提供獨立的12伏電源。由于MOSFET的接通，它的源接近其漏極電壓（5V），柵極驅(qū)動七伏到IC的12伏電源。邏輯級MOSFET是需要這個應(yīng)用程序完全增強，只有五（左右）伏門源相比，標準設(shè)備，需要約十伏。當Q1關(guān)斷時，柵極由IC輸出端接地，二極管則執(zhí)行調(diào)節(jié)器的全輸出電流。
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