結構缺陷破壞led亮度

　　逐漸褪色，這是大多數(shù)LED故障的原因，主要是由于半導體芯片中的微裂紋。這些缺陷是在復雜的晶圓制造過程中引入的。

　　稱為位錯，這些微裂紋增加隨著時間的推移越來越快時，LED暴露于高溫的地方的數(shù)目增加芯片的電荷載體可以重組不產生光（見高新區(qū)第“了解導致衰落在高亮度發(fā)光二極管”）。

　　然而，這種所謂的“非輻射復合”的增加并不是導致LED失效的唯一機制。螺紋位錯也為泄漏電流創(chuàng)造了路徑，剝奪了更有價值的電荷載體的領導地位。隨著缺陷的增多，情況變得更糟，導致電源尖峰或靜電放電（ESD）事件發(fā)生故障的風險增加。

　　本文介紹了為什么漏電流發(fā)生，并建議如何在LED的使用壽命中減緩惡化的進程，這樣芯片就可以保證這些固態(tài)光源的壽命。

　　The perils of leakage current

　　In an operating LED， charge carriers—electrons and holes—migrate to the device’s p-n junction where there is a good chance they will recombine. Recombination （sometimes） releases light in the visible part of the spectrum. （The previous TechZone article cited above describes in detail the physics behind electroluminescence， the phenomenon behind LED light emission.）

　　The physics of electroluminescence is governed by quantum mechanics， and quantum mechanics allows electrons and holes to do some weird things. One particular quirk is “tunneling” whereby an electron can surmount a barrier （for example， the energy gap across a p-n junction） that， according to classical physics， would require more energy to cross than the electron possesses. It is a bit like weakly rolling a ball up a steep hill， and， instead of seeing it roll back down the hill， observing the ball burrowing through the hill and appearing on the other side.