資料介紹
1.太陽能電池結構及原理 ? 太陽能電池如下圖所示。一般多選用在 p型硅襯底上擴散 n型硅形成太陽電池雛形。在硅片表面鍍有減反射膜用以減少對太陽光的反射。 P型硅襯底的厚度約為 200~300 μ m,通過擴散形成 p - n結,結深約為 0.5 μ m。太陽能電池通過絲網印刷厚膜電子漿料,以及鏈式爐燒結工藝制作上下電極。
太陽能電池原理 ? 硅太陽電池是利用光生伏特效應(Photovoltaic Effect)的半導體器件。其內部結構為p+ - p - n - n +結構,如下圖所示,其中含有 p - n , p+- p , n+- n三個結,平衡狀態(tài)下,多數載流子和少數載流子的電流相互補償,總電流等于零。當太陽光照射到由 p型和 n型兩種不同導電類型的同質半導體材料構成的 p - n 結上時,在結的耗盡區(qū),光能被半導體吸收,產生非平衡載流子——電子和空穴。受內建電場作用將空穴推向 p區(qū),電子推向 n區(qū),在勢壘區(qū)的非平衡載流子亦在內建電場的作用下,各向相反方向運動,離開勢壘區(qū),結果使 p區(qū)電勢升高, n區(qū)電勢降低, p - n結兩端形成光生電動勢,這就是 p - n結的光生伏特效應。

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