過去十年間，業(yè)界提高小功率AC–DC電源效率的努力一直沒有間斷過。隨著新的歐盟CoC V5 Tier 2和美國DoE 6標準在2016年正式生效，這一趨勢必將繼續(xù)下去。新標準要求外部電源6 W輸出時的最低效率必須達到70%左右，并且空載功耗必須小于100 mW。Power Integrations已經(jīng)推出LinkSwitch?產(chǎn)品系列的最新一代器件LinkSwitch-4，用以滿足持續(xù)提高電源效率的市場需求。新一代器件采用了一些新穎的創(chuàng)新技術(shù)，可在降低離線式電源設(shè)計的成本的同時進一步提高效率。

　　LinkSwitch-4 IC性能先進，可滿足移動、消費電子和醫(yī)療應(yīng)用對高效率、高可靠性和低成本電源的要求。LinkSwitch-4控制器采用自適應(yīng)基極-發(fā)射極開關(guān)驅(qū)動技術(shù)，可提升開關(guān)性能并提高效率。這項高級開關(guān)技術(shù)特別有利于高壓應(yīng)用。在傳統(tǒng)的僅由基極驅(qū)動的設(shè)計中由于其關(guān)斷較慢，關(guān)斷損耗很大，而LinkSwitch-4的開關(guān)技術(shù)可以降低此關(guān)斷損耗，減小由于三極管二次擊穿而引起的三極管故障。這樣的控制方式可以大幅擴大三極管的反向偏置安全工作區(qū)域（RBSOA）并增強系統(tǒng)整體可靠性。請參見圖1a和圖1b。

　　圖1a 與基極驅(qū)動方式相比，采用基極-發(fā)射極驅(qū)動方式的BJT的反向偏置安全工作區(qū)

　　圖1b 基極-發(fā)射極驅(qū)動方式的BJT反向偏置安全工作區(qū)域

　　當(dāng)MOSFET或雙極結(jié)型晶體管（BJT）關(guān)斷時，電流降為零，其上的電壓升至供電電壓。關(guān)斷期間如果速度較慢其損耗會更大，因為晶體管在過渡區(qū)所耗用的時間更多。通過控制外部雙極晶體管的基極和發(fā)射極驅(qū)動，LinkSwitch-4 IC可大大縮短在交越區(qū)域耗用的時間，從而降低開關(guān)損耗和提高效率。自適應(yīng)基極-發(fā)射極開關(guān)技術(shù)可在開關(guān)前消除少數(shù)載流子，并在關(guān)斷期間使Vbe變負，從而防止三極管進入二次擊穿及工作區(qū)間超出RBSOA而失效。在相同工作條件下，LinkSwitch-4器件可將外部BJT的RBSOA增大至與MOSFET幾乎一樣的大小，提高電源在標準工作和故障模式下的可靠性。

　　反激式電源電路原理圖