資料介紹
無(wú)源器件是智能消費(fèi)電子等手持設(shè)備的重要組成部分,但也是占據(jù)較大空間的設(shè)備,在某些情況下占據(jù)70%以上的可用的電路板空間“。無(wú)源元器件小型化和高性能問(wèn)題一直是研究的熱點(diǎn)。集成無(wú)源器件,一般指共享同一基板或封裝的多個(gè)無(wú)源器件,包括與互連基板同時(shí)制作的埋置無(wú)源器件,或者制作在單獨(dú)的基板表面然后封裝或表貼到互連基板上的無(wú)源整列或無(wú)源網(wǎng)絡(luò)。而此時(shí),穿硅通孔(Through Silicon Via,TSV )封裝方案進(jìn)人了研究者的視野。TSV 是由日本東北大學(xué)教授小柳光正等人|提出的一種3D 集成的制造方法。這是通過(guò)在芯片和芯片之間,晶圓和晶圓之間制造垂直通孔,實(shí)現(xiàn)芯片之間互連的最新技術(shù)。與以往的IC 封裝鍵合和使用凸點(diǎn)的疊加技術(shù)不同,TSV能夠在三維方向使得堆疊密度最大,而外形尺寸最小,大大改善了芯片速度和低功耗性能。集成無(wú)源器件和硅轉(zhuǎn)接板的集成開(kāi)啟了一扇新的大門,優(yōu)良的外形(系統(tǒng)體積,重量和占地面積)和更高的性能( 更高的傳輸速度,更低的功耗和RF 的寄生效應(yīng)降低)是其顯著的優(yōu)點(diǎn)。
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