資料介紹
在開關(guān)電源設(shè)計中,常常會用到驅(qū)動變壓器來實現(xiàn)隔離、浮地、增大驅(qū)動能力等目的,是電源中非常重要的一部分,如果設(shè)計不好直接決定整個項目的成敗,以及電源產(chǎn)品的品質(zhì)好壞。
1、采用驅(qū)動變壓器的原因
在開關(guān)電源設(shè)計中有較常用的電路拓撲:外驅(qū)BUCK、外驅(qū)BOOST、推挽、半橋、全橋、雙管反激、雙管正激等,這些電路拓撲中的開關(guān)管需要浮地、或互補、或同頻同相同幅驅(qū)動,在手頭只有較常規(guī)的單輸出PWM控制芯片,又不想再增加成本引進新驅(qū)動芯片的情況下,采用驅(qū)動變壓器是最好的選擇,它不僅用作開關(guān)電源半導(dǎo)件元器件的驅(qū)動電脈沖(如功率MOSFET或IGBT),還可用作電壓隔離和阻抗匹配。此外,在二次側(cè)同步整流管的驅(qū)動電路也常常選擇使用驅(qū)動變壓器來實現(xiàn)他激驅(qū)動控制。其實大多數(shù)開關(guān)電源加驅(qū)動變壓器的最主要目的是為了隔離和實現(xiàn)浮地,上管跟下管不共地時,IC只能直接推動下管,上管就必須隔離驅(qū)動了。其實,現(xiàn)在也有很多專用的隔離驅(qū)動IC,也可以獲得和驅(qū)動變壓器相近的效果,但是這種集成的隔離驅(qū)動IC有些明顯的缺陷,就是導(dǎo)通和關(guān)斷有很大的延遲、需要增加額外的驅(qū)動電源、以及設(shè)計難度大。而驅(qū)動變壓器則不同,這種變壓器耦合方式的優(yōu)點是延遲非常低,無需增加額外的驅(qū)動電源,而且通過匝比設(shè)計,還可以在很高的壓差下工作。相比于專用的隔離驅(qū)動IC,這種變壓器驅(qū)動可設(shè)計的方式更多樣,可以隨時調(diào)整。

圖1 驅(qū)動變壓器電路圖
2、磁芯的選擇
典型的脈沖驅(qū)動變壓器一般多是用鐵氧體磁心設(shè)計制造的,這樣可以降低成本。高頻條件下鐵氧體具有很高電阻率,渦流損耗小,價格低,是高頻變壓器磁芯的首選,缺點是磁導(dǎo)率通常較低。常用磁心的外形大多數(shù)是EE、EER、ETD型。它們都是由“E”型磁心和相應(yīng)的骨架組成。這些骨架可以采用表面安裝法或通孔安裝法裝配。在有些情況下,也采用環(huán)形磁心設(shè)計制作驅(qū)動變壓器,這樣的優(yōu)點是漏感很小,但磁環(huán)的繞制工藝比較麻煩由于是采用小磁環(huán),所以必須要人工繞制,成本會增加。所以不同應(yīng)用者:有的看性能、有的看價格、有的看性價比,不同的使用者關(guān)注點不一樣。
3、驅(qū)動變壓器的設(shè)計和關(guān)鍵參數(shù)分析
驅(qū)動變壓器的計算可以參照正激的方式設(shè)計,初級匝數(shù)
,通常情況下,匝比一般選擇1:1即可。
在設(shè)計驅(qū)動變壓器時,其關(guān)鍵電氣參數(shù)中的兩個參數(shù)(漏電感值和繞組電容量)是需要控制的。因為大的漏電感值和繞組電容量可能引起諸如相位漂移、時間誤差、噪聲和上沖等不合乎使用要求的輸出信號。理想情況下,驅(qū)動變壓器是不儲存能量的。不過實際上驅(qū)動變壓器還是儲存了少量能量在線圈和磁芯的氣隙形成的磁場區(qū)域,這種能量表現(xiàn)為漏感和磁化電感。盡管MOS管驅(qū)動器變壓器的平均功率很小,但是在開通和關(guān)閉的時候傳遞很高的電流,為了減少延遲,保證驅(qū)動的穩(wěn)定、安全可靠,也為了抑制高頻振蕩,保持低漏感仍然是必須的。對于驅(qū)動變壓器繞組的電容量我們希望其值小于100pF。布板的時候盡量讓驅(qū)動靠近開關(guān)管,高頻電流回路面積盡量做小,控制電路盡量遠離高頻回路。
我們知道繞組越接近磁心表面漏感越小,繞組匝數(shù)越少,越容易作到這點;另外磁心的電感系數(shù)越高、磁導(dǎo)率越高,導(dǎo)磁能力越好,漏感越小。所以大多驅(qū)動變壓器、網(wǎng)絡(luò)變壓器都用高導(dǎo)材料來做。另外在一個變壓器中分布電容和漏感是兩個矛盾的參數(shù),但是通過繞制方法可以折中處理。對于上升沿的時間和下降沿的時間,磁心材料尤其是繞制工藝是非常關(guān)鍵的。
1、采用驅(qū)動變壓器的原因
在開關(guān)電源設(shè)計中有較常用的電路拓撲:外驅(qū)BUCK、外驅(qū)BOOST、推挽、半橋、全橋、雙管反激、雙管正激等,這些電路拓撲中的開關(guān)管需要浮地、或互補、或同頻同相同幅驅(qū)動,在手頭只有較常規(guī)的單輸出PWM控制芯片,又不想再增加成本引進新驅(qū)動芯片的情況下,采用驅(qū)動變壓器是最好的選擇,它不僅用作開關(guān)電源半導(dǎo)件元器件的驅(qū)動電脈沖(如功率MOSFET或IGBT),還可用作電壓隔離和阻抗匹配。此外,在二次側(cè)同步整流管的驅(qū)動電路也常常選擇使用驅(qū)動變壓器來實現(xiàn)他激驅(qū)動控制。其實大多數(shù)開關(guān)電源加驅(qū)動變壓器的最主要目的是為了隔離和實現(xiàn)浮地,上管跟下管不共地時,IC只能直接推動下管,上管就必須隔離驅(qū)動了。其實,現(xiàn)在也有很多專用的隔離驅(qū)動IC,也可以獲得和驅(qū)動變壓器相近的效果,但是這種集成的隔離驅(qū)動IC有些明顯的缺陷,就是導(dǎo)通和關(guān)斷有很大的延遲、需要增加額外的驅(qū)動電源、以及設(shè)計難度大。而驅(qū)動變壓器則不同,這種變壓器耦合方式的優(yōu)點是延遲非常低,無需增加額外的驅(qū)動電源,而且通過匝比設(shè)計,還可以在很高的壓差下工作。相比于專用的隔離驅(qū)動IC,這種變壓器驅(qū)動可設(shè)計的方式更多樣,可以隨時調(diào)整。

圖1 驅(qū)動變壓器電路圖
2、磁芯的選擇
典型的脈沖驅(qū)動變壓器一般多是用鐵氧體磁心設(shè)計制造的,這樣可以降低成本。高頻條件下鐵氧體具有很高電阻率,渦流損耗小,價格低,是高頻變壓器磁芯的首選,缺點是磁導(dǎo)率通常較低。常用磁心的外形大多數(shù)是EE、EER、ETD型。它們都是由“E”型磁心和相應(yīng)的骨架組成。這些骨架可以采用表面安裝法或通孔安裝法裝配。在有些情況下,也采用環(huán)形磁心設(shè)計制作驅(qū)動變壓器,這樣的優(yōu)點是漏感很小,但磁環(huán)的繞制工藝比較麻煩由于是采用小磁環(huán),所以必須要人工繞制,成本會增加。所以不同應(yīng)用者:有的看性能、有的看價格、有的看性價比,不同的使用者關(guān)注點不一樣。
3、驅(qū)動變壓器的設(shè)計和關(guān)鍵參數(shù)分析
驅(qū)動變壓器的計算可以參照正激的方式設(shè)計,初級匝數(shù)

在設(shè)計驅(qū)動變壓器時,其關(guān)鍵電氣參數(shù)中的兩個參數(shù)(漏電感值和繞組電容量)是需要控制的。因為大的漏電感值和繞組電容量可能引起諸如相位漂移、時間誤差、噪聲和上沖等不合乎使用要求的輸出信號。理想情況下,驅(qū)動變壓器是不儲存能量的。不過實際上驅(qū)動變壓器還是儲存了少量能量在線圈和磁芯的氣隙形成的磁場區(qū)域,這種能量表現(xiàn)為漏感和磁化電感。盡管MOS管驅(qū)動器變壓器的平均功率很小,但是在開通和關(guān)閉的時候傳遞很高的電流,為了減少延遲,保證驅(qū)動的穩(wěn)定、安全可靠,也為了抑制高頻振蕩,保持低漏感仍然是必須的。對于驅(qū)動變壓器繞組的電容量我們希望其值小于100pF。布板的時候盡量讓驅(qū)動靠近開關(guān)管,高頻電流回路面積盡量做小,控制電路盡量遠離高頻回路。
我們知道繞組越接近磁心表面漏感越小,繞組匝數(shù)越少,越容易作到這點;另外磁心的電感系數(shù)越高、磁導(dǎo)率越高,導(dǎo)磁能力越好,漏感越小。所以大多驅(qū)動變壓器、網(wǎng)絡(luò)變壓器都用高導(dǎo)材料來做。另外在一個變壓器中分布電容和漏感是兩個矛盾的參數(shù),但是通過繞制方法可以折中處理。對于上升沿的時間和下降沿的時間,磁心材料尤其是繞制工藝是非常關(guān)鍵的。
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