【前言】
　　在高端MOS的柵極驅(qū)動電路中，自舉電路因技術(shù)簡單、成本低廉得到了廣泛的應用。然而在實際應用中，MOS常莫名其妙的失效，有時還伴隨著驅(qū)動IC的損壞。如何破？一個合適的電阻就可搞定問題。
　　【問題分析】
　　
　　上圖為典型的半橋自舉驅(qū)動電路，由于寄生電感的存在，在高端MOS關(guān)閉后，低端MOS的體二極管鉗位之前，寄生電感通過低端二極管進行續(xù)流，導致VS端產(chǎn)生負壓，且負壓的大小與寄生電感與成正比關(guān)系。該負壓會把驅(qū)動的電位拉到負電位，導致驅(qū)動電路異常，還可能讓自舉電容過充電導致驅(qū)動電路或者柵極損壞。由于IC的驅(qū)動端通常都有寄生二極管，當瞬間的大電流流過驅(qū)動口的二極管時，很可能引發(fā)寄生SCR閉鎖效應，導致驅(qū)動電路徹底損壞。
　　【解決方法】
　　
　　如上圖所示，在自舉驅(qū)動芯片VS端與Q1的源極之間增加一個電阻Rvs，該電阻不僅是自舉限流電阻，同時還是導通電阻和關(guān)斷電阻。由于占空比受自舉電容影響，該電阻值一般不能取得較大，推薦值為3~10Ω較為適宜。電阻和自舉電容的容值與其充電時間可以由以下公式得出：
　　
　　其中C是自舉電容容值，D為最大占空比。
　　致遠電子的PV系列光伏電源，內(nèi)部的MOS驅(qū)動技術(shù)就幫助此款產(chǎn)品解決了很多高端MOS的疑難怪癥，最終成就了產(chǎn)品的高可靠性。200~1200VDC超寬輸入電壓范圍，長壽命、高效率、低紋波噪聲、高可靠性等特點。