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隨著集成電路制造工藝水平的迅猛發(fā)展，不同的功能模塊，比如數(shù)字，模擬，射頻電路集成在一塊芯片上。然而電源噪聲會(huì)大大削弱對(duì)噪聲敏感的電路模塊的性能，如改變VCO輸出信號(hào)的頻率和相位，所以必須通過(guò)電源管理模塊對(duì)外部電源進(jìn)行處理，得到模塊所需性能標(biāo)準(zhǔn)的電壓。
設(shè)計(jì)了一種可用于射頻前端芯片供電的高電源抑制比（PSR）無(wú)片外電容CMOS低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）?；趯?duì)全頻段電源抑制比的詳細(xì)分析，提出了一種PSR增強(qiáng)電路模塊，使100 kHz和IMHz處的PSR分別提高了40 dB和30 dB;加入串聯(lián)RC補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)，保證了電路的穩(wěn)定性；在LDO輸出至誤差放大器輸入的反饋回路引入低通濾波模塊，降低了由于輸出端接不同負(fù)載對(duì)反饋回路的影響。
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