本說(shuō)明提供了一種基于單頻T2G6003028-FS封裝GaN HEMT器件的非線性模型的設(shè)計(jì)用于單級(jí)微波功率放大器（PA）參考設(shè)計(jì)的性能可預(yù)測(cè)性的洞察力。該應(yīng)用注意事項(xiàng)中所研究的示例是在參考放大器板中使用的30 W器件，其使用分布式和表面安裝元件來(lái)匹配和偏置網(wǎng)絡(luò)。設(shè)計(jì)的偏差和操作信息如下：VDS＝28 V，IDS＝200毫安，設(shè)計(jì)頻率＝5.9 GHz。對(duì)于模擬，使用模型化的T2G6003028-FS器件的非線性模型連同被動(dòng)集總表面安裝組件的MODLICTICS CLR模型一起使用。本研究中使用的建模與分析工具包括安捷倫科技的先進(jìn)設(shè)計(jì)系統(tǒng)（ADS）。

　　本說(shuō)明中的處理包括對(duì)小信號(hào)和大信號(hào)分析的測(cè)量到模型一致性的探索，包括仔細(xì)分析被動(dòng)匹配網(wǎng)絡(luò)表示。這項(xiàng)工作的目標(biāo)包括晶體管模型的驗(yàn)證以及對(duì)匹配和偏置電路建模對(duì)放大器的測(cè)量數(shù)據(jù)一致性的整體模擬的影響的理解。

　　我們將開(kāi)始研究PA的每個(gè)部分如何對(duì)放大器的整體小信號(hào)性能作出貢獻(xiàn)。有了這個(gè)目標(biāo)，開(kāi)發(fā)了兩個(gè)測(cè)量方案：1）測(cè)量完全組裝的PA和2）分別測(cè)量三個(gè)部分中的每一個(gè)。

　　由于晶體管接地和散熱要求，銅載體是必需的。為了產(chǎn)生準(zhǔn)確和可靠的晶體管性能，在載體中銑削溝槽以提供足夠的深度，使得晶體管的柵極和漏極上的導(dǎo)電引腳在襯底上的傳輸線上方停留1密耳。示出組裝晶體管的測(cè)量參考平面的圖像可以在圖1中看到。圖2提供了組裝后的晶體管的側(cè)視圖圖像。