電容去耦的一個(gè)重要問題是電容的去耦半徑。大多數(shù)資料中都會提到電容擺放要盡量靠近芯片，多數(shù)資料都是從減小回路電感的角度來談這個(gè)擺放距離問題。確實(shí)，減小電感是一個(gè)重要原因，但是還有一個(gè)重要的原因大多數(shù)資料都沒有提及，那就是電容去耦半徑問題。如果電容擺放離芯片過遠(yuǎn)，超出了它的去耦半徑，電容將失去它的去耦的作用。理解去耦半徑最好的辦法就是考察噪聲源和電容補(bǔ)償電流之間的相位關(guān)系。當(dāng)芯片對電流的需求發(fā)生變化時(shí)，會在電源平面的一個(gè)很小的局部區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生電壓擾動，電容要補(bǔ)償這一電流（或電壓），就必須先感知到這個(gè)電壓擾動。信號在介質(zhì)中傳播需要一定的時(shí)間，因此從發(fā)生局部電壓擾動到電容感知到這一擾動之間有一個(gè)時(shí)間延遲。同樣，電容的補(bǔ)償電流到達(dá)擾動區(qū)也需要一個(gè)延遲。因此必然造成噪聲源和電容補(bǔ)償電流之間的相位上的不一致。

　　電容去耦的一個(gè)重要問題是電容的去耦半徑。大多數(shù)資料中都會提到電容擺放要盡量靠近芯片，多數(shù)資料都是從減小回路電感的角度來談這個(gè)擺放距離問題。確實(shí)，減小電感是一個(gè)重要原因，但是還有一個(gè)重要的原因大多數(shù)資料都沒有提及，那就是電容去耦半徑問題。如果電容擺放離芯片過遠(yuǎn)，超出了它的去耦半徑，電容將失去它的去耦的作用。

　　理解去耦半徑最好的辦法就是考察噪聲源和電容補(bǔ)償電流之間的相位關(guān)系。當(dāng)芯片對電流的需求發(fā)生變化時(shí)，會在電源平面的一個(gè)很小的局部區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生電壓擾動，電容要補(bǔ)償這一電流（或電壓），就必須先感知到這個(gè)電壓擾動。信號在介質(zhì)中傳播需要一定的時(shí)間，因此從發(fā)生局部電壓擾動到電容感知到這一擾動之間有一個(gè)時(shí)間延遲。同樣，電容的補(bǔ)償電流到達(dá)擾動區(qū)也需要一個(gè)延遲。因此必然造成噪聲源和電容補(bǔ)償電流之間的相位上的不一致。