x射線探測(cè)器最初是一種無(wú)能量分辨能力的蓋革計(jì)數(shù)器，現(xiàn)在己發(fā)展了多種類型、不同用途，并具有極高分辨率的各種X射線探測(cè)器。特別是最近幾年，隨著半導(dǎo)體技術(shù)、太空探測(cè)和超導(dǎo)材料研究的進(jìn)步，x射線能量探測(cè)器技術(shù)取得了顯著的進(jìn)展。半導(dǎo)體探測(cè)器于1949年首次以錯(cuò)單晶制成，Si

（Li）探測(cè)器于1962年問(wèn)世，1967年出現(xiàn)了離子植入型Si二極管、二維探測(cè)器和高純Ge探測(cè)器。20世紀(jì)60-70年代的主要進(jìn)步表現(xiàn)在材料處理技術(shù)和電子脈沖處理器的發(fā)展上。大約20年即1987年后，各種Si基探測(cè)器和集成電路得到廣泛的研究和迅速發(fā)展，制造技術(shù)日益成熟。

最初開(kāi)發(fā)的單晶硅探測(cè)器采用表面勢(shì)壘，即使一個(gè)小的指印都會(huì)損壞Au涂層，致使探測(cè)器不穩(wěn)定。

超純si的勢(shì)壘具有約100 kVcm（勢(shì)壘）的近乎本征電阻特性，故應(yīng)用前景廣泛。但由于B在Si中的偏析，天然B對(duì)Si的污染很難去除。故需要反復(fù)的晶層凈化工藝才能實(shí)現(xiàn)單晶硅的本征電阻特性。應(yīng)用1i漂移技術(shù)可以克服需要反復(fù)進(jìn)行晶層凈化的復(fù)雜工藝過(guò)程，制成具有近乎本征硅特性并具有一定厚度的Si（Li）探測(cè)器，其顯著特點(diǎn)是它可以補(bǔ)償任何局部受體密度，這一技術(shù)使得Si（Li）探測(cè)器迅速成為能量探測(cè)器領(lǐng)域的主要探測(cè)工具之一。但需要低溫抑制Li漂移引起的噪聲，以避免分辨率下降。

在此期間還出現(xiàn)了采用在前后觸點(diǎn)分別植入B和P離子的p-n結(jié)探測(cè)器，并成功地應(yīng)用于獲取物體的二維圖像。至20世紀(jì)80年代末，一種si0，氧化物鈍化工藝應(yīng)用于制造Si半導(dǎo)體探測(cè)器，用以保護(hù)表面敏感區(qū)。場(chǎng)效應(yīng)管（FET）的引入也是該時(shí)期的一個(gè)重要技術(shù)進(jìn)展。