CREE第二代SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路原理圖及PCB板設(shè)計(jì))
2021-11-08 |
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資料介紹
CREE第二代SiCMOSFET驅(qū)動(dòng)電路原理圖及PCB板設(shè)計(jì)電路原理圖光耦隔離電路和功率放大電路原理圖隔離電源電路原理圖PCB layout第一層layout第二層layout(負(fù)電層)第三層layout(負(fù)電層)第四層layout小技巧MOSFET驅(qū)動(dòng)電路原理圖及PCB板設(shè)計(jì))電路原理圖整個(gè)驅(qū)動(dòng)電路分為三個(gè)部分。一個(gè)是光耦隔離電路,負(fù)責(zé)把功率側(cè)和邏輯側(cè)隔離開來,防止強(qiáng)電側(cè)電路干擾弱點(diǎn)側(cè)電路。與傳統(tǒng)的隔離措施相比,光耦隔離具有體積小、成本低、電磁兼容強(qiáng)的特點(diǎn)。這里選擇的光耦隔離芯片是ACPL-48
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