資料介紹
為了充分利用 ARM 內核強大的處理功能,應當使用快速的程序和數(shù)據(jù)存儲器。但是,靜態(tài) RAM 足夠
快,完全可以支持一個周期內最高速度的讀寫訪問,因此,F(xiàn)lash 存儲器的速度顯著降低。
ARM7TM 系列內核要求每個周期執(zhí)行一條指令。在 0.18um 的技術工藝中,器件的工作頻率約為 80MHz,
即每 12.5ns 執(zhí)行一條 32 位的指令。但是,執(zhí)行一次 Flash ROM 訪問需要 50ns,使能的最大工作頻率為
20MHz。為了彌補這一點,半導體制造商使用了許多不同的方法,其中一種就是在微控制器中增加以下功
能:
1. 將最大時鐘頻率限制為 20MHz
2. 訪問 Flash 過程中插入等待周期
3. 使用一個指令緩存區(qū)
4. 將程序代碼從 Flash 復制到 RAM
前兩種方法適用于要求低成本的系統(tǒng);但是,由于 CPU 速度和過低的存儲器尋址速度兩者不對稱,微
處理器會浪費一些特性。
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