靜態(tài)隨機存儲器（static RAM），簡稱SRAM。在電子設(shè)備中，常見的存儲器有SRAM（靜態(tài)隨機訪問存儲器）、FLASH（閃速存儲器）、DRAM（動態(tài)存儲器）等。其中不同的存儲器有不同的特性，SRAM無需刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失。與SDRAM相比，SRAM不需要時鐘信號，即可保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失。
　　1、VDMS16M32芯片介紹
　　VDSR16M32是一款工作電壓3.3V，16Mbit，32位數(shù)據(jù)總線的立體封裝SRAM模塊芯片，由4個256K x 16bit的SRAM芯片堆疊而成。整個模塊采用立體封裝堆疊技術(shù)，它們之間的互相連接線非常短，寄生電容小。
　　1.1 芯片的內(nèi)部功能結(jié)構(gòu)和外部引腳
　　圖1是立體封裝的大容量芯片VDSR16M32中每一片SRAM的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和功能框圖，由MEMORY存儲矩形陣列，列譯碼器、行譯碼器、數(shù)據(jù)控制和控制邏輯等部分組成。
　　
　　圖1 VDSR16M32中SRAM的內(nèi)部功能結(jié)構(gòu)框圖
　　圖2是立體封裝的大容量存儲芯片VDSR16M32的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和功能框圖，圖3是VDSR16M32的外部引腳分布圖，其中A【0:17】是地址輸入信號引腳，#CS0、#CS1是芯片里面BLOCK1和BLOCK2的選擇引腳，#OE是芯片的輸出啟用引腳，#WE是芯片的寫入啟用引腳，#LB是低16位的選擇信號，#UB是高16的選擇信號，I/O【0:31】是芯片的數(shù)據(jù)線，其中數(shù)據(jù)線D【0:15】為BLOCK1的數(shù)據(jù)輸入輸出引腳，數(shù)據(jù)線D【16:31】為BLOCK2的數(shù)據(jù)輸入輸出引腳，VCC為電源引腳，VSS為接地引腳。
　　
　　圖2 立體封裝的大容量芯片VDSR16M32的功能結(jié)構(gòu)框圖