資料介紹
特性
? 按 256K x16 的形式組織
? 單電壓讀寫(xiě)操作
– 1.65-1.95V
? 超高可靠性
– 可擦寫(xiě)次數(shù):100,000 次(典型值)
– 數(shù)據(jù)保存時(shí)間大于 100 年
? 低功耗(5 MHz 時(shí)的典型值)
– 工作電流:5 mA(典型值) – 待機(jī)電流:5 μA(典型值)
? 扇區(qū)擦除功能
– 均一 2K 字扇區(qū)
? 塊擦除功能
– 均一 32K 字塊
? 快速讀取訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間
– 70 ns
? 鎖存地址和數(shù)據(jù)
? 快速擦除和字編程
– 扇區(qū)擦除時(shí)間:36 ms(典型值)
– 塊擦除時(shí)間:36 ms(典型值)
– 全片擦除時(shí)間:140 ms(典型值)
– 字編程時(shí)間:28 μs(典型值)
? 自動(dòng)寫(xiě)時(shí)序
– 內(nèi)部 VPP 生成
? 寫(xiě)操作結(jié)束檢測(cè)
– 翻轉(zhuǎn)位
– 數(shù)據(jù) # 查詢(xún)
? CMOS I/O 兼容性
? JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)
– 閃存 EEPROM 引腳排列和命令集
? 可用封裝
– 48 球 TFBGA(6 mm x 8 mm)
– 48 球 WFBGA(4 mm x 6 mm)微小封裝
– 48 球 XFLGA(4 mm x 6 mm)微小封裝
? 所有器件均符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)

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