資料介紹
該RPP3180是一個混合推挽放大器模塊。該器件采用GaAs芯片,工作頻率為45 MHz~1218MHz。它具有優(yōu)良的線性度和優(yōu)異的回波損耗性能,具有低噪聲和最佳可靠性。
放大電路亦稱為放大器,它是使用最為廣泛的電子電路之一、也是構成其他電子電路的基礎單元電路。所謂放大,就是將輸入的微弱信號(簡稱信號,指變化的電壓、電流等)放大到所需要的幅度值且與原輸入信號變化規(guī)律一致的信號,即進行不失真的放大。只有在不失真的情況下放大才有意義。放大電路的本質是能量的控制和轉換,根據(jù)輸入回路和輸出回路的公共端不同,放大電路有三種基本形式:共射放大電路、共集放大電路和共基放大電路
砷化鎵是一種重要的半導體材料。屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體。屬閃鋅礦型晶格結構,晶格常數(shù)5.65×10-10m,熔點1237℃,禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵于1964年進入實用階段。砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個數(shù)量級以上的半絕緣高阻材料,用來制作集成電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。由于其電子遷移率比硅大5~6倍,故在制作微波器件和高速數(shù)字電路方面得到重要應用。用砷化鎵制成的半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優(yōu)點。此外,還可以用于制作轉移器件──體效應器件。砷化鎵是半導體材料中,兼具多方面優(yōu)點的材料,但用它制作的晶體三極管的放大倍數(shù)小,導熱性差,不適宜制作大功率器件。雖然砷化鎵具有優(yōu)越的性能,但由于它在高溫下分解,故要生產理想化學配比的高純的單晶材料,技術上要求比較高。



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