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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>IC資料>IC中文資料>SD8583S內(nèi)置高壓MOS管功率開(kāi)關(guān)的原邊控制開(kāi)關(guān)電源的數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載

      SD8583S內(nèi)置高壓MOS管功率開(kāi)關(guān)的原邊控制開(kāi)關(guān)電源的數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載

      2018-11-09 | rar | 0.30 MB | 次下載 | 免費(fèi)

      資料介紹

      　　SD8583S是內(nèi)置高壓MOS管功率開(kāi)關(guān)的原邊控制開(kāi)關(guān)電源（PSR），采用PFM調(diào)制技術(shù)，提供精確的恒壓/恒流（CVICC）控制環(huán)路，具有非常高的穩(wěn)定性和平均效率。

      　　采用SD8583S設(shè)計(jì)系統(tǒng)，無(wú)需光耦，可省去次級(jí)反饋控制、環(huán)路補(bǔ)償，精簡(jiǎn)電路、降低系統(tǒng)成本。

      　　SD8583S適用8~10W輸出功率，內(nèi)置線損補(bǔ)償功能和峰值電流補(bǔ)償功能。

      　　主要特點(diǎn)

      　　內(nèi)置高壓MOS管功率開(kāi)關(guān)

      　　原邊控制模式

      　　低啟動(dòng)電流

      　　前沿消隱

      　　逐周期限流

      　　PFM調(diào)制

      　　降峰值模式

      　　過(guò)壓保護(hù)

      　　欠壓鎖定

      　　環(huán)路開(kāi)路保護(hù)

      　　最大導(dǎo)通時(shí)間保護(hù)

      　　過(guò)溫保護(hù)

      　　線損電壓補(bǔ)償

      　　峰值電流補(bǔ)償

      　　應(yīng)用

      　　充電器

      　　適配器

      　　待機(jī)電源

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