集成電路采用混合信號(hào)CMOS技術(shù)，采用先進(jìn)的斬波穩(wěn)定技術(shù)，提供準(zhǔn)確、穩(wěn)定的磁開關(guān)點(diǎn)。AR45L的輸出晶體管將在有足夠強(qiáng)的南磁場(chǎng)或北磁場(chǎng)的情況下鎖定在（BOP）上，磁場(chǎng)朝向包裝的標(biāo)記側(cè)。在沒有磁場(chǎng)的情況下，輸出將被鎖定（BRP）。

　　應(yīng)用

　　固態(tài)開關(guān)

　　速度檢測(cè)

　　斷路器

　　用于更換簧片開關(guān)的磁性接近傳感器

　　強(qiáng)烈建議在設(shè)備電源（VDD引腳）和接地（GND引腳）之間連接外部旁路電容器（靠近霍爾傳感器），以降低斬波穩(wěn)定技術(shù)產(chǎn)生的外部噪聲和噪音。如下頁(yè)的兩個(gè)圖所示，0.1μF電容器是典型的。

　　對(duì)于反向電壓保護(hù)，建議將電阻或二極管與VDD引腳串聯(lián)。使用電阻器時(shí)，三點(diǎn)很重要：

　　-電阻器必須將反向電流限制在最大50mA（VCC/R1≤50mA）。

　　-產(chǎn)生的設(shè)備電源電壓vdd必須高于vdd min（vdd=vcc–r1*idd）

　　-電阻器必須能承受反向電壓條件下耗散的功率（pd=vcc2/r1）

　　當(dāng)使用二極管時(shí)，反向電流不能流動(dòng)，電壓降幾乎恒定（≈0.7V）。

　　因此，建議使用100Ω/0.25W電阻（用于5V應(yīng)用）和二極管（用于更高的電源電壓）。這兩種解決方案都提供了所需的反向電壓保護(hù)。

　　當(dāng)使用弱電源或設(shè)備打算在噪聲環(huán)境中使用時(shí)，建議使用應(yīng)用信息部分的圖13.3。

　　由R1和C1以及齊納二極管Z1構(gòu)成的低通濾波器繞過(guò)設(shè)備電源電壓VDD上出現(xiàn)的干擾或電壓尖峰。二極管D1提供額外的反向電壓保護(hù)。

　　斬波穩(wěn)定放大器采用開關(guān)電容技術(shù)消除放大器的失調(diào)電壓，在雙極器件中，失調(diào)電壓是溫度敏感漂移的主要來(lái)源。CMOS使這種先進(jìn)技術(shù)成為可能。CMOS芯片也比雙極性芯片小得多，使得非常復(fù)雜的電路可以放置在更小的空間中。小芯片尺寸也有助于降低物理應(yīng)力和降低功耗。

　　考慮霍爾IC和磁學(xué)的溫度系數(shù)，以及氣隙和壽命變化。在波峰焊接過(guò)程中注意溫度限制。典型的紅外焊接回流曲線：

　　無(wú)快速加熱和冷卻。

　　建議在150°C下預(yù)熱最多2分鐘

　　建議在240°C下回流最多5秒