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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>IC資料>IC中文資料>OC5864內(nèi)置功率MOSFET的單片降壓型開(kāi)關(guān)模式轉(zhuǎn)換器規(guī)格書(shū)

      OC5864內(nèi)置功率MOSFET的單片降壓型開(kāi)關(guān)模式轉(zhuǎn)換器規(guī)格書(shū)

      2024-07-29 | pdf | 0.59 MB | 次下載 | 免費(fèi)

      資料介紹

      概述

      OC5864 是一款內(nèi)置功率 MOSFET的單片降壓型開(kāi)關(guān)模式轉(zhuǎn)換器。OC5864在 5.5-60V 寬輸入電源范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn) 0.6峰值輸出電流，并且具有出色的線電壓 A 和負(fù)載調(diào)整率。OC5864 采用 PWM 電流模工作模式，環(huán)路易于穩(wěn)定并提供快速的瞬態(tài)響應(yīng)。OC5864 集成了包括逐周期電流限制和熱關(guān)斷等保護(hù)功能。OC5864 采用 SOT23-6 封裝，且外圍元器件少。

      特點(diǎn)

      ?0.6A 的峰值輸出電流

      ?0.9Ω 的內(nèi)部功率 MOSFET

      ?可采用大輸出電容啟動(dòng)

      ?低 ESR 陶瓷電容輸出穩(wěn)定

      ?效率高達(dá) 90%

      ?固定 500kHz 頻率

      ?熱關(guān)斷

      ?逐周期過(guò)流保護(hù)

      寬輸入電壓范圍：5.5~60V

      采用 SOT23-6 封裝

      ?

      PCB 布局注意

      PCB布局對(duì)電路穩(wěn)定工作很關(guān)鍵。請(qǐng)遵循以下布局指導(dǎo)：

      1） 保持開(kāi)關(guān)電流通路走線盡可能短并最小化功率環(huán)路面積（功率環(huán)路由輸入電容、MOS和肖特基二極管構(gòu)成）。

      2） 功率地 ->肖特基二極管->SW 引腳連接通路應(yīng)盡可能短和寬。

      3） 確保反饋電阻靠近芯片，且走線應(yīng)短。

      4） SW走線應(yīng)遠(yuǎn)離FB反饋信號(hào)。

      5） IN, SW, GND 需用大的銅箔連接以改善芯片發(fā)熱提高長(zhǎng)期穩(wěn)定性。

      ?

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