資料介紹
微電子器件應(yīng)用中的幾個重要問題
西安微電子技術(shù)研究所李志鑫(710054)
摘?? 要??
本文報道了半導(dǎo)體分立器件和集成電路應(yīng)用尤其是航天型號產(chǎn)品應(yīng)用中暴露出的若干重要問題,剖析了這些問題的成因,提出了相應(yīng)的對策,供生產(chǎn)廠家和用戶參考。
關(guān)鍵詞
半導(dǎo)體器件集成電路
一、序言
隨著航空、航天和宇航技術(shù)的發(fā)展以及軍用、民用等復(fù)雜電子裝備的研制和大量生產(chǎn),人們對電子元器件和微電子器件的質(zhì)量與可靠性提出愈來愈苛刻的要求。特別是對于可能導(dǎo)致飛行失敗或機(jī)毀人亡災(zāi)難性后果的關(guān)鍵件、重要件更加關(guān)注。雖然在電子產(chǎn)品中采用冗余設(shè)計和降額設(shè)計技術(shù)可以在一定范圍內(nèi)減小風(fēng)險壓力,但在實際工作中這種方法并非都能實行得通。如容積的占用分配或功耗、效率要求存在難以克服的矛盾等,而且有的從技術(shù)上就難以實現(xiàn)冗余。所以只有提高微電子器件的設(shè)計和制造工藝水平以及各種原材料的質(zhì)量水平,強(qiáng)化各項質(zhì)量管理和質(zhì)量保證,才能從根本上找到解決可靠性問題的途徑。
從近期航天型號產(chǎn)品元器件使用中和破壞性物理分析(DPA)中暴露出的半導(dǎo)體器件和集成電路(IC)的質(zhì)量與可靠性問題來看,存在的問題還是比較嚴(yán)重的。根據(jù)中國航天工業(yè)總公司質(zhì)量可靠性信息中心1998年2月提供的《故障和事故信息通報》,應(yīng)用于某重點(diǎn)工程型號的半導(dǎo)體器件和IC器件總共197種(批),在DPA檢查中不合格品高達(dá)46種(批),占被檢查批的23%。其問題分布為:①內(nèi)引線鍵合力不合格的有20種,占不合格批的43.5%;②粘片剪切力不合格的有19種,占不合格批的41.3%;③粘片存在缺陷的(擦傷,劃傷,沾污,花斑,裂紋等)有20種,占不合格批的43.5%;④PIND試驗有多余物的1種,占不合格批的2%(前3項中有重疊情況)。在不合格的46種(批)中,進(jìn)口器件為5種(批),其DPA不合格率為7.7%;國產(chǎn)器件為41種(批),其DPA不合格率為31.1%(檢查批數(shù)分別為65和132)。由此可以看出,與進(jìn)口器件相比較,國產(chǎn)器件在可靠性方面還存在著較大的差距。
現(xiàn)在,就生產(chǎn)和應(yīng)用中在可靠性存在方面的幾個重要問題,根據(jù)我們的分析和認(rèn)識作一概略的介紹和討論。
二、鍵合強(qiáng)度問題
目前,在國內(nèi)外半導(dǎo)體器件和IC的組裝工藝中,質(zhì)量等級較高的產(chǎn)品,如883B級、JANTX級、G級等,其內(nèi)引線連接仍以鋁絲—金層或金絲—鋁層超聲鍵合為主。長期以來的實踐表明,相同金屬材料,Al-Al或Au-Au,鍵合強(qiáng)度較好,可靠性易于保證,但不同金屬材料間的鍵合,可靠性問題較多。典型的鍵合失效是開路。人們對Au-Al系的可靠性問題進(jìn)行了大量的研究,也發(fā)表了諸多的文章和見解。前些年,國外流行的說法是由于金鋁鍵合時,生成了許多金鋁系化合物,即所謂白斑、紫斑效應(yīng),易引起鍵合開路。后來,又發(fā)現(xiàn)這些色斑導(dǎo)電性不差,似乎并非開路元兇。接著,在羅馬分析中心出版的資料中,又轉(zhuǎn)而提出克肯達(dá)爾孔洞理論,認(rèn)為開路原因是由于在高溫應(yīng)力作用下,鍵合點(diǎn)周圍形成許多小的孔洞連成一線,導(dǎo)致開路和鍵合脫落。
我所可靠性分析工作多年的探討、大量的試驗和解剖觀測表明,導(dǎo)致高溫下Au-Al系開路的原因,除了個別起因于沾污或設(shè)備、材料(底座鍵合面不平整)外,很重要的因素是可伐表面的鍍金層厚度不當(dāng)或不勻所致,應(yīng)當(dāng)對鍍金工藝實行強(qiáng)化控制。
良好器件的Au-Al鍵合的剖面磨片表明,經(jīng)各項高溫篩選后的鍵合力仍然高達(dá)15gf以上??梢郧宄乜吹?,該鍵合處下面的Au-Al已充分化合,可伐柱表面已無純金存在,形似一個“光刻窗口”。與此相反,從已脫落的劣質(zhì)鍵合的剖面磨片,可以清晰地看到,該鍵合處可伐基體表面仍留有純金鍍層,直觀表明底部金鋁未形成化合的事實。由此可以推斷,在Au-Al系鍵合工藝中,因材料原子擴(kuò)散而充分生成各種成分的金鋁化合物才是正常現(xiàn)象,而劣質(zhì)鍵合的原因就在于未形成充分化合甚至未化合。
經(jīng)過反復(fù)比較和測量統(tǒng)計,在相同的鍵合環(huán)境下(人員、設(shè)備、溫度等),要保證良好的鍵合,鍍金層厚度應(yīng)嚴(yán)格控制在2~3微米。大于4微米的鍍金層,在高溫環(huán)境下就可能發(fā)生鍵合力明顯降低以至脫焊。值得注意的是,單靠控制外殼電鍍批的平均厚度還不足以解決問題。由于電鍍工藝操作中的不均勻性,鍍槽中上下左右各處的被鍍元件存在著分布差異,其鍍層厚度也就存在不均勻性。在一個多條引出線的外殼上,只要有局部引線鍍金層偏厚,該處內(nèi)引線鍵合就易開路。對此,曾作過多次現(xiàn)場調(diào)查和分析,事實與人們的認(rèn)識相當(dāng)吻合。所謂克肯達(dá)爾孔洞線,實際上就是偏厚的鍍金層,壓焊時因表層下陷產(chǎn)生的微裂紋在高溫下的擴(kuò)大和劣化。
西安微電子技術(shù)研究所李志鑫(710054)
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本文報道了半導(dǎo)體分立器件和集成電路應(yīng)用尤其是航天型號產(chǎn)品應(yīng)用中暴露出的若干重要問題,剖析了這些問題的成因,提出了相應(yīng)的對策,供生產(chǎn)廠家和用戶參考。
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半導(dǎo)體器件集成電路
一、序言
隨著航空、航天和宇航技術(shù)的發(fā)展以及軍用、民用等復(fù)雜電子裝備的研制和大量生產(chǎn),人們對電子元器件和微電子器件的質(zhì)量與可靠性提出愈來愈苛刻的要求。特別是對于可能導(dǎo)致飛行失敗或機(jī)毀人亡災(zāi)難性后果的關(guān)鍵件、重要件更加關(guān)注。雖然在電子產(chǎn)品中采用冗余設(shè)計和降額設(shè)計技術(shù)可以在一定范圍內(nèi)減小風(fēng)險壓力,但在實際工作中這種方法并非都能實行得通。如容積的占用分配或功耗、效率要求存在難以克服的矛盾等,而且有的從技術(shù)上就難以實現(xiàn)冗余。所以只有提高微電子器件的設(shè)計和制造工藝水平以及各種原材料的質(zhì)量水平,強(qiáng)化各項質(zhì)量管理和質(zhì)量保證,才能從根本上找到解決可靠性問題的途徑。
從近期航天型號產(chǎn)品元器件使用中和破壞性物理分析(DPA)中暴露出的半導(dǎo)體器件和集成電路(IC)的質(zhì)量與可靠性問題來看,存在的問題還是比較嚴(yán)重的。根據(jù)中國航天工業(yè)總公司質(zhì)量可靠性信息中心1998年2月提供的《故障和事故信息通報》,應(yīng)用于某重點(diǎn)工程型號的半導(dǎo)體器件和IC器件總共197種(批),在DPA檢查中不合格品高達(dá)46種(批),占被檢查批的23%。其問題分布為:①內(nèi)引線鍵合力不合格的有20種,占不合格批的43.5%;②粘片剪切力不合格的有19種,占不合格批的41.3%;③粘片存在缺陷的(擦傷,劃傷,沾污,花斑,裂紋等)有20種,占不合格批的43.5%;④PIND試驗有多余物的1種,占不合格批的2%(前3項中有重疊情況)。在不合格的46種(批)中,進(jìn)口器件為5種(批),其DPA不合格率為7.7%;國產(chǎn)器件為41種(批),其DPA不合格率為31.1%(檢查批數(shù)分別為65和132)。由此可以看出,與進(jìn)口器件相比較,國產(chǎn)器件在可靠性方面還存在著較大的差距。
現(xiàn)在,就生產(chǎn)和應(yīng)用中在可靠性存在方面的幾個重要問題,根據(jù)我們的分析和認(rèn)識作一概略的介紹和討論。
二、鍵合強(qiáng)度問題
目前,在國內(nèi)外半導(dǎo)體器件和IC的組裝工藝中,質(zhì)量等級較高的產(chǎn)品,如883B級、JANTX級、G級等,其內(nèi)引線連接仍以鋁絲—金層或金絲—鋁層超聲鍵合為主。長期以來的實踐表明,相同金屬材料,Al-Al或Au-Au,鍵合強(qiáng)度較好,可靠性易于保證,但不同金屬材料間的鍵合,可靠性問題較多。典型的鍵合失效是開路。人們對Au-Al系的可靠性問題進(jìn)行了大量的研究,也發(fā)表了諸多的文章和見解。前些年,國外流行的說法是由于金鋁鍵合時,生成了許多金鋁系化合物,即所謂白斑、紫斑效應(yīng),易引起鍵合開路。后來,又發(fā)現(xiàn)這些色斑導(dǎo)電性不差,似乎并非開路元兇。接著,在羅馬分析中心出版的資料中,又轉(zhuǎn)而提出克肯達(dá)爾孔洞理論,認(rèn)為開路原因是由于在高溫應(yīng)力作用下,鍵合點(diǎn)周圍形成許多小的孔洞連成一線,導(dǎo)致開路和鍵合脫落。
我所可靠性分析工作多年的探討、大量的試驗和解剖觀測表明,導(dǎo)致高溫下Au-Al系開路的原因,除了個別起因于沾污或設(shè)備、材料(底座鍵合面不平整)外,很重要的因素是可伐表面的鍍金層厚度不當(dāng)或不勻所致,應(yīng)當(dāng)對鍍金工藝實行強(qiáng)化控制。
良好器件的Au-Al鍵合的剖面磨片表明,經(jīng)各項高溫篩選后的鍵合力仍然高達(dá)15gf以上??梢郧宄乜吹?,該鍵合處下面的Au-Al已充分化合,可伐柱表面已無純金存在,形似一個“光刻窗口”。與此相反,從已脫落的劣質(zhì)鍵合的剖面磨片,可以清晰地看到,該鍵合處可伐基體表面仍留有純金鍍層,直觀表明底部金鋁未形成化合的事實。由此可以推斷,在Au-Al系鍵合工藝中,因材料原子擴(kuò)散而充分生成各種成分的金鋁化合物才是正常現(xiàn)象,而劣質(zhì)鍵合的原因就在于未形成充分化合甚至未化合。
經(jīng)過反復(fù)比較和測量統(tǒng)計,在相同的鍵合環(huán)境下(人員、設(shè)備、溫度等),要保證良好的鍵合,鍍金層厚度應(yīng)嚴(yán)格控制在2~3微米。大于4微米的鍍金層,在高溫環(huán)境下就可能發(fā)生鍵合力明顯降低以至脫焊。值得注意的是,單靠控制外殼電鍍批的平均厚度還不足以解決問題。由于電鍍工藝操作中的不均勻性,鍍槽中上下左右各處的被鍍元件存在著分布差異,其鍍層厚度也就存在不均勻性。在一個多條引出線的外殼上,只要有局部引線鍍金層偏厚,該處內(nèi)引線鍵合就易開路。對此,曾作過多次現(xiàn)場調(diào)查和分析,事實與人們的認(rèn)識相當(dāng)吻合。所謂克肯達(dá)爾孔洞線,實際上就是偏厚的鍍金層,壓焊時因表層下陷產(chǎn)生的微裂紋在高溫下的擴(kuò)大和劣化。
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