本書(shū)介紹了半導(dǎo)體、器件中各種噪聲現(xiàn)象的理論及其應(yīng)用技術(shù)，包括：噪聲基礎(chǔ)、半導(dǎo)體器件的低噪聲化技術(shù)等7章。

?

　　目錄

　　主要符號(hào)表

　　第一章 噪聲基礎(chǔ)

　　1.1 噪聲的數(shù)學(xué)基礎(chǔ)

　　1.1.1 概率密度函數(shù)與平均值

　　1.1.2 自相關(guān)函數(shù)與功率譜密度

　　1.1.3 噪聲量的迭加與相關(guān)

　　1.2 器件噪聲的表征參數(shù)

　　1.2.1 二端元器件噪聲的表征

　　1.2.2 等效輸入噪聲

　　1.2.3 噪聲系數(shù)

　　1.2.4 多級(jí)放大器的噪聲

　　1.2.5 噪聲帶寬

　　1.3 半導(dǎo)體器件噪聲的分類和特點(diǎn)

　　第二章 熱噪聲

　　2.1 熱噪聲模型

　　2.1.1 熱噪聲的完全表達(dá)式

　　2.1.2 擴(kuò)散噪聲

　　2.1.3 熱電子噪聲

　　2.2 場(chǎng)效應(yīng)晶體管的熱噪聲

　　2.2.1 溝道熱噪聲基本公式

　　2.2.2 JFET的溝道熱噪聲

　　2.2.3 MOSFET的溝道熱噪聲

　　2.2.4 感應(yīng)柵噪聲

　　參考文獻(xiàn)

　　第三章 散粒噪聲

　　3.1 散粒噪聲的基本特性

　　3.2 半導(dǎo)體二極管的散粒噪聲

　　3.2.1 簡(jiǎn)單模型

　　3.2.2 高頻模型

　　3.2.3 大注入模型

　　3.3 雙極晶體管的散粒噪聲

　　3.3.1 簡(jiǎn)單模型

　　3.3.2 高頻模型

　　3.3.3 大注入模型

　　3.4 結(jié)型器件的其它散粒噪聲

　　3.4.1 pn結(jié)空間電荷區(qū)復(fù)合電流的散粒噪聲

　　3.4.2 pn結(jié)的雪崩噪聲

　　參考文獻(xiàn)

　　第四章 g-r噪聲

　　4.1 g-r噪聲的基本特性

　　4.2 JFET的g-r噪聲

　　4.2.1 柵結(jié)勢(shì)壘區(qū)中陷阱中心產(chǎn)生的g-r噪聲

　　4.2.2 溝道中的復(fù)合中心產(chǎn)生的g-r噪聲

　　4.3 雙極晶體管中的猝發(fā)噪聲

　　4.3.1 猝發(fā)噪聲的一般性質(zhì)

　　4.3.2 猝發(fā)噪聲的物理機(jī)構(gòu)

　　4.4 小尺寸MOSFET中的隨機(jī)電報(bào)噪聲（RTN）

　　參考文獻(xiàn)

　　第五章 1/f噪聲

　　5.1 概述

　　5.2 1/f噪聲模型

　　5.2.1 表面載流子數(shù)漲落模型

　　5.2.2 遷移率漲落模型

　　5.2.3 量子1/f噪聲

　　5.3 雙極晶體管的1/f噪聲

　　5.3.1 表面1/f噪聲

　　5.3.2 位錯(cuò)1/f噪聲

　　5.3.3 1/f噪聲源的鑒別

　　5.3.4 量子1/f噪聲

　　5.4 場(chǎng)效應(yīng)晶體管的1/f噪聲

　　5.4.1 MOSFET的表面1/f噪聲

　　5.4.2 FET的量子1/f噪聲

　　參考文獻(xiàn)

　　第六章 半導(dǎo)體器件的低噪聲化技術(shù)

　　6.1 實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件低噪聲化的基本原則

　　6.1.1 雙極晶體管的En-In模型

　　6.1.2 場(chǎng)效應(yīng)晶體管的En-In

　　6.1.3 二端元器件的噪聲模型

　　6.1.4 實(shí)現(xiàn)低噪聲化的基本原則

　　6.2 模擬集成電路線路的低噪聲設(shè)計(jì)

　　6.2.1 差分輸入級(jí)的噪聲分析

　　6.2.2 復(fù)合管與單元電路的噪聲分析

　　6.2.3 線路的低噪聲設(shè)計(jì)原則

　　6.3 器件結(jié)構(gòu)參數(shù)的低噪聲設(shè)計(jì)

　　6.3.1 低噪聲器件結(jié)構(gòu)的選擇

　　6.3.2 版圖的低噪聲設(shè)計(jì)

　　6.3.3 雙極晶體管摻雜濃度分布的低噪聲設(shè)計(jì)

　　6.4 低噪聲工藝

　　6.4.1 低噪聲擴(kuò)散工藝

　　6.4.2 表面鈍化工藝

　　6.4.3 完美晶體工藝

　　6.5 數(shù)字集成電路的噪聲

　　參考文獻(xiàn)

　　第七章 噪聲分析在半導(dǎo)體器件質(zhì)量表征和可靠性評(píng)估中的

　　應(yīng)用

　　7.1 用1/fγ噪聲表征金屬薄膜互連的電遷移

　　7.2 用1/fγ噪聲和RTN研究Si-SiO2界面附近的氧化層陷阱

　　7.2.1 用1/fγ噪聲測(cè)量確定氧化層陷阱密度的能量與空間分布

　　7.2.2 用RTN測(cè)量確定氧化層陷阱的深度和俘獲截面

　　7.3 用g-r噪聲分析半導(dǎo)體材料與器件中的深能級(jí)雜質(zhì)

　　7.3.1 理論

　　7.3.2 實(shí)驗(yàn)

　　7.4 1/f噪聲與半導(dǎo)體器件參數(shù)漂移失效的相關(guān)性

　　7.4.1 1/f噪聲與雙極晶體管的hFE漂移

　　7.4.2 1/f噪聲與MOSFET的負(fù)溫偏不穩(wěn)定性

　　7.4.3 1/f噪聲與電離輻照引起的MOS器件閾值電壓漂移

　　7.4.4 1/f噪聲與穩(wěn)壓二極管的基準(zhǔn)電壓退化