ZnO壓敏電阻的標志是用I-U特性曲線拐點、從線性模式向非線性模式過渡的電壓來表征的。文章綜述了壓敏電壓的定義，它受晶粒尺寸和壓敏電阻片厚度控制，隨著燒結(jié)溫度和時間的增加而下降。
2? 壓敏電壓的表征
ZnO壓敏電阻的標志是用從線性模式向非線性模式過渡的電壓來表征的。正好在I-U曲線拐點上的非線性起始電壓，是決定壓敏電阻額定電壓的非線性電壓，通稱為壓敏電壓。
因為I-U曲線的過渡缺少銳度，在大多數(shù)壓敏電阻上很難測定這個電壓的精確位置。但可用下式來定義壓敏電壓
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由上式，設電流I=1A，則有
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∵α≠0
∴U=C　
由此可見，C值與作用電壓U有一定的對應關(guān)系，當流過壓敏電阻的電流為1A時，即I=1A，C=U1A，為壓敏電阻兩端的電壓。
在實用上，由于I=(0.1~1)mA時，壓敏電阻開始呈現(xiàn)顯著的非線性。因此往往不用C值而直接用U0.1mA或U1mA等來表示壓敏電阻的性能，稱為壓敏電壓值。
依據(jù)這一定義：
?????? （在1mA時）??????? (4)
文獻中常把壓敏電阻的電壓稱為1mA電壓(U1mA)，另外也用10mA時的電壓(U10mA)作參考電壓。
這些定義也考慮到壓敏電阻幾何尺寸的影響。我們規(guī)定這一歸一化電壓E0.5(V/cm)，如圖1所示是在電流密度0.5mA/cm2下測定的。實踐表明對大多數(shù)壓敏電阻E0.5值是接近非線性起始值的。
3 晶粒尺寸和壓敏電阻厚度是E0.5的控制參數(shù)
依據(jù)壓敏電阻的微觀結(jié)構(gòu)，晶粒尺寸和壓敏電阻厚度是E0.5值的控制參數(shù)，E0.5、Ugb、N0和T的關(guān)系，設定Ugb是常數(shù)，對實現(xiàn)壓敏電阻所需電壓來說，晶粒是構(gòu)成單位。表明壓敏電壓是壓敏電阻的整體性質(zhì)。要增加電壓，只需增加壓敏電阻的尺寸（對于給定晶粒大?。?，或者減小晶粒的尺寸（對于給定的壓敏電阻尺寸）。由于晶粒尺寸是受燒結(jié)參數(shù)控制的，壓敏電阻尺寸是幾何尺寸，對于一個給定用途的希望電壓值就能通過壓敏電阻工藝充分地控制。
4 燒結(jié)溫度和時間對I-U曲線和E0.5的影響。
圖2和圖3給出了燒結(jié)溫度和時間在一般情況下對I-U曲線和在特殊情況下對E0.5 的影響。