電子元件對比-選購-經(jīng)驗(yàn)篇：詳細(xì)介紹了選購電子元件時(shí)要考慮元器件可靠性、制造質(zhì)量、設(shè)計(jì)等知識。?

電子元器件的選用非常重要。元器件的失效主要集中在以下四個(gè)方面：

（1）元器件可靠性問題

元器件可靠性問題即基本失效率的問題，這是一種隨機(jī)性質(zhì)的失效，與質(zhì)量問題的區(qū)別是元器件的失效率取決于工作應(yīng)力水平。在一定的應(yīng)力水平下，元器件的失效率會大大下降。為剔除不符合使用要求的元器件，包括電參數(shù)不合格、密封性能不合格、外觀不合格、穩(wěn)定性差、早期失效等，應(yīng)進(jìn)行篩選試驗(yàn)，電子產(chǎn)品主要元器件的篩選試驗(yàn)一般要求：

購貨商要提供以下測試報(bào)告，高溫測試一般要焊接模擬測試，高溫烤箱測試一般達(dá)不到實(shí)際焊接要求，測試可以通道式測試回流焊完成（力鋒推薦：Ｍ系列測試型回流焊）完全模擬實(shí)際焊接生產(chǎn)曲線，這樣測試過的器件品質(zhì)更有保證！

①電阻在室溫下按技術(shù)條件進(jìn)行100％測試，剔除不合格品。

②普通電容器在室溫下按技術(shù)條件進(jìn)行100％測試，剔除不合格品。

③接插件按技術(shù)條件抽樣檢測各種參數(shù)。

④半導(dǎo)體器件按以下程序進(jìn)行篩選：

目檢→初測→高溫貯存→高低溫沖擊→電功率老化→高溫測試（模擬焊接測試）→低溫測試→常溫測試

篩選結(jié)束后應(yīng)計(jì)算剔除率Q

Q=（n / N）×100%

式中：N——受試樣品總數(shù)；

n——被剔除的樣品數(shù)；

如果Q超過標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的上限值，則本批元器件全部不準(zhǔn)上機(jī)，并按有關(guān)規(guī)定處理。

（2）制造質(zhì)量問題

質(zhì)量問題造成的失效與工作應(yīng)力無關(guān)。質(zhì)量不合格的可以通過嚴(yán)格的檢驗(yàn)加以剔除，在工程應(yīng)用時(shí)應(yīng)選用定點(diǎn)生產(chǎn)廠家的成熟產(chǎn)品，不允許使用沒有經(jīng)過認(rèn)證的產(chǎn)品。

（3）設(shè)計(jì)問題

首先是恰當(dāng)?shù)剡x用合適的元器件：

①盡量選用硅半導(dǎo)體器件，少用或不用鍺半導(dǎo)體器件。

②多采用集成電路，減少分立器件的數(shù)目。

③開關(guān)管選用MOSFET能簡化驅(qū)動(dòng)電路，減少損耗。

④輸出整流管盡量采用具有軟恢復(fù)特性的二極管。

⑤應(yīng)選擇金屬封裝、陶瓷封裝、玻璃封裝的器件。禁止選用塑料封裝的器件。

⑥集成電路必須是一類品或者是符合MIL－M－38510、MIL－S－19500標(biāo)準(zhǔn)B－1以上質(zhì)量等級的軍品。

⑦設(shè)計(jì)時(shí)盡量少用繼電器，確有必要時(shí)應(yīng)選用接觸良好的密封繼電器。

⑧原則上不選用電位器，必須保留的應(yīng)進(jìn)行固封處理。

⑨吸收電容器與開關(guān)管和輸出整流管的距離應(yīng)當(dāng)很近，因流過高頻電流，故易升溫，所以要求這些電容器具有高頻低損耗和耐高溫的特性。

在潮濕和鹽霧環(huán)境下，鋁電解電容會發(fā)生外殼腐蝕、容量漂移、漏電流增大等情況，所以在艦船和潮濕環(huán)境，好不要用鋁電解電容。由于受空間粒子轟擊時(shí)，電解質(zhì)會分解，所以鋁電解電容也不適用于航天電子設(shè)備的電源中。

鉭電解電容溫度和頻率特性較好，耐高低溫，儲存時(shí)間長，性能穩(wěn)定可靠，但鉭電解電容較重、容積比低、不耐反壓、高壓品種（>125V）較少、價(jià)格昂貴。

關(guān)于降額設(shè)計(jì)：電子元器件的基本失效率取決于工作應(yīng)力（包括電、溫度、振動(dòng)、沖擊、頻率、速度、碰撞等）。除個(gè)別低應(yīng)力失效的元器件外，其它均表現(xiàn)為工作應(yīng)力越高，失效率越高的特性。為了使元器件的失效率降低，所以在電路設(shè)計(jì)時(shí)要進(jìn)行降額設(shè)計(jì)。降額程度，除可靠性外還需考慮體積、重量、成本等因素。不同的元器件降額標(biāo)準(zhǔn)亦不同，實(shí)踐表明，大部分電子元器件的基本失效率取決于電應(yīng)力和溫度，因而降額也主要是控制這兩種應(yīng)力，以下為電子產(chǎn)品常用元器件的降額系數(shù)：

①電阻的功率降額系數(shù)在0.1～0.5之間。

②二極管的功率降額系數(shù)在0.4以下，反向耐壓在0.5以下。

③發(fā)光二極管。