目前Y電容廣泛的應(yīng)用在開關(guān)電源中，但Y電容的存在使輸入和輸出線間產(chǎn)生漏電流，具有Y電容的金屬殼手機(jī)充電器和一些特殊電器會讓使用者有觸電的危險(xiǎn)，因此這些設(shè)備的制造商目前開始采用無Y電容的設(shè)計(jì)，然而摘除Y電容對EMI的設(shè)計(jì)帶來了困難。具有頻抖和頻率調(diào)制的脈寬調(diào)制器可以改善EMI的性能，但不能絕對的保證充電器通過EMI的測試，必須在電路和變壓器結(jié)構(gòu)上進(jìn)行改進(jìn)才能使充電器滿足EMI的標(biāo)準(zhǔn)。 1、EMI 常識 在開關(guān)電源中，功率器件高頻開通、關(guān)斷操作導(dǎo)致電流和電壓的快速的變化是產(chǎn)生EMI的主要原因。 在電路中的電感及寄生電感中快速的電流變化產(chǎn)生磁場從而產(chǎn)生較高的電壓尖峰： VL = LS · diL /dt 在電路中的電容及寄生電容中快速的電壓變化產(chǎn)生電場從而產(chǎn)生較高的電流尖峰： iC = C · duc /dt 圖1：MOSFET電壓和電流波形 磁場和電場的噪聲與變化的電壓和電流及耦合通道如寄生的電感和電容直接相關(guān)。直觀的理解，減小電壓變化率du/dt和電流變化率di/dt及減小相應(yīng)的雜散電感和電容值可以減小由于上述磁場和電場產(chǎn)生的噪聲，從而減小EMI干擾。 1.1 減小電壓變化率du/dt和電流變化率di/dt 減小電壓變化率du/dt和電流變化率di/dt可以通過以下的方法來實(shí)現(xiàn)：改變柵極的電阻值和增加緩沖吸引電路，如圖2和圖3所示。增加?xùn)艠O的電阻值可以降低開通時(shí)功率器件的電壓變化率。 圖2：柵極驅(qū)動電路 圖3中，基本的RCD箝位電路用于抑止由于變壓器的初級漏感在開關(guān)管關(guān)斷過程中產(chǎn)生的電壓尖峰。L1、L2和L3可以降低高頻的電流的變化率。L1和L2只對特定的頻帶起作用。L3對于工作于CCM模式才有效。 R1/C1，R2/C2，R3/C3，R4/C4和C5可以降低相應(yīng)的功率器件兩端的高頻電壓的變化率。 所有的這些緩沖吸引電路都需要消耗一定功率，產(chǎn)生附加的功率損耗，降低系統(tǒng)的效率；同時(shí)也增加元件的數(shù)目和PCB的尺寸及系統(tǒng)的成本，因此要根據(jù)實(shí)際的需要選擇使用。 圖3：緩沖吸引電路 1.2 減小寄生的電感和電容值 開關(guān)器件是噪聲源之一，其內(nèi)部引線的雜散電感及寄生電容也是噪聲耦合的通道，寄生電容包括漏源極電容和柵漏極的Miller電容，但是由于這些參數(shù)是器件固有的特性，電子設(shè)計(jì)和應(yīng)用工程師無法對它們進(jìn)行完全的抑制。減小開關(guān)管所在回路的尺寸并用寬的PCB 銅箔，可以最大限度地減小寄生電感。 變壓器是另外一個噪聲源，而初級次級的漏感及初級的層間電容、次級的層間電容、初級和次級之間的耦合電容則是噪聲的通道。初級或次級的層間電容可以通過減小繞組的層數(shù)來降低，增大變壓器骨架窗口的寬度可在減小繞組的層數(shù)。分離的繞組如初級采用三明治繞法可以減小初級的漏感，但由于增大了初級和次級的接觸面積，因而增大了初級和次級的耦合電容。采用銅皮的Faraday屏蔽可以減小初級與次級間的耦合電容。Faraday屏蔽層繞在初級與次級之間，并且要接到初級或次級的靜點(diǎn)如初級地和次級地。Faraday屏蔽層使初級和次級的耦合系數(shù)降低，從而增加了漏感。 2、傳導(dǎo)干擾 2.1 LISN EMI測試由傳導(dǎo)干擾CE和輻射干擾RE組成，這兩種噪聲分開的檢測和評價(jià)。對于不同的應(yīng)用，不同的地區(qū)和國家都有相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)，這些標(biāo)準(zhǔn)對于頻段的寬度和限制值都作了十分明確的定義。例如對于手機(jī)充電器屬于FCC15/EN55022 CLASS B，傳導(dǎo)干擾測量的頻率范圍為0.15MHz到30MHz，輻射干擾測量的頻率范圍為30MHz到1GHz，具體的內(nèi)容可以參考相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)FCC，CIRPR和EN等。 傳導(dǎo)干擾指在輸入和輸出線上流過的干擾噪聲，測試的方法見圖4所示。待測試的設(shè)備EUT通過阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)LISN（或人工電源網(wǎng)絡(luò)）連接到干凈的交流電源上。 圖4：LISN及EUT測試 LISN的作用如下： ① 隔離待測試的設(shè)備EUT和交流輸入電源，濾除由輸入電源線引入的噪聲及干擾。 ② EUT產(chǎn)生的干擾噪聲依次通過LISN內(nèi)部的高通濾波器和50?電阻，在50 ?電阻上得到相應(yīng)的信號值送到接收機(jī)進(jìn)行分析。 由圖4可見：EUT放置在絕緣的測試臺上，測試臺下部裝有接地良好的鐵板，測試臺及鐵板的尺寸和安裝都在特定的規(guī)定。 傳導(dǎo)干擾來源于差模電流噪聲和共模電流噪聲，這兩種類型的噪聲干擾見圖5所示，Y電容直接和傳導(dǎo)干擾相關(guān)。 圖5：差模電流和共模電流 差模電流在兩根輸入電源線間反方向流動，兩者相互構(gòu)成電流回路，即一根作為差模電流的源線，一根作為差模電流的回線。共模電流在兩根輸入電源線上同方向流動，它們分別與大地構(gòu)成電流回路，即同時(shí)作為共模電流的源線或回線。 理論上1MHz以內(nèi)主要是差模干擾，增大 X 電容就可以濾除差模干擾。5MHz以上主要是共摸干擾，可以通過以下方式濾除共摸干擾： ① 輸入或輸出加共模電感。 ② 加大對地Y電容，改變Y電容的連接方式。 ③ 調(diào)整輸出的動點(diǎn)和靜點(diǎn)位置。 ④ 變壓器外面包銅皮，內(nèi)部加銅皮屏蔽層。 ⑤ 變壓器輸出端和它連接的二極管或次極同步整流管之間串聯(lián)小磁珠。 ⑥ 輸出整流二極管或次極同步整流管加吸收電路。 1MHz-5MHz同時(shí)存在著差模、共模干擾，而且后面還會分析，差模和共摸干擾可以相互轉(zhuǎn)化，因此在很多的系統(tǒng)中，非常難嚴(yán)格的區(qū)分差模、共模干擾，采用輸入端并接更多電容并不能有效的完全濾除差摸干擾去分析干擾超標(biāo)的差模和共模類型。 2.2 變壓器模型 變壓器包含寄生電容的模型見圖6所示。 ① Cp： 初級繞組的層間電容。 ② Coe：輸出線到大地的電容。 ③ Cme：磁芯到大地的電容。 ④ Ca：最外層繞組到磁芯的電容。 ⑤ Ct：輔助繞組到次級繞組的電容。 ⑥ Cs：初級繞組到次級繞組的電容. ⑦ Cm：最內(nèi)層初級繞組到磁芯的電容。 圖6：變壓器寄生電容