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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子資料>如何使用深阱工藝提高LDMOS的抗擊穿能力

      如何使用深阱工藝提高LDMOS的抗擊穿能力

      2020-09-25 | pdf | 0.24 MB | 次下載 | 1積分

      資料介紹

      　　提出了一種具有深阱結構的RF LDMOS，該結構改善了表面電場分布，從而提高了器件的擊穿電壓。通過silvaco器件模擬軟件對該結構進行驗證，并對器件的摻雜濃度、阱寬、阱深、柵長進行優(yōu)化，結果表明，在保證LDMOS器件參數(shù)不變的條件下，采用深阱工藝可使其擊穿電壓提升50%以上。 LDMOS （Lateral Diffused MetalOxide Semiconductor Transistor，橫向擴散金屬氧化物半導體）以其高功率增益、高效率及低成本等優(yōu)點，被廣泛應用于移動通信基站、雷達、導航等領域。射頻大功率LDMOS由于具有P、L波段以上的工作頻率和高的性價比，已成為3G手機基站射頻放大器的首選器件。隨著IC集成度的提高及器件特征尺寸的減小，柵氧化層厚度越來越薄，其柵的耐壓能力顯著下降，擊穿電壓是射頻LDMOS器件可靠性的一個重要參數(shù)，它不僅決定了其輸出功率，還決定了器件的耐壓能力，因此必須要采取措施以提高器件的擊穿電壓。本文將在基本LDMOS的基礎上，通過器件結構的改進來提高LDMOS的抗擊穿能力。

      射頻 基站 LDMOS
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