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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子資料>鍺化硅技術(shù)有哪些優(yōu)點(diǎn)和高頻特性的介紹

      鍺化硅技術(shù)有哪些優(yōu)點(diǎn)和高頻特性的介紹

      2020-09-09 | pdf | 0.05 MB | 次下載 | 1積分

      資料介紹

      　　鍺化硅技術(shù)（Silicon germanium）從20世紀(jì)80年代問世以來，是一種高于普通硅器件的高頻半導(dǎo)體材料，應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛，尤其在新一代移動(dòng)設(shè)備中，是良好的高功率放大器，例如：下變頻器、低噪聲放大器（LNA）、前置放大器（Preamplifier）、WLAN功率放大器等。由于SiGe技術(shù)具有高頻特性，現(xiàn)已廣泛應(yīng)用在電子測(cè)試產(chǎn)品中，如泰克（Tektronix）公司的TDS7000系列高頻示波器，帶寬高達(dá)15GHz，那么什么是SiGe技術(shù)呢？ SiGe技術(shù)具有很多極具吸引力的優(yōu)點(diǎn)。作為硅材料中的“小兄弟，SiGe既擁有硅工藝的集成度和成本優(yōu)勢(shì)，又具有第3類到第5類半導(dǎo)體（GaAs）和磷化銦（lnP）速度方面的優(yōu)點(diǎn)。只要增加金屬和介質(zhì)疊層來降低寄生電容和電感，就可以采用 SiGe半導(dǎo)體技術(shù)集成高質(zhì)量無源部件。此外，通過控制鍺摻雜還可設(shè)計(jì)器件隨溫度進(jìn)行變化。

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