1.暗室參數(shù)微波暗室的電性能指標(biāo)主要由靜區(qū)的特征來表征。靜區(qū)的特性又以靜區(qū)的大小、靜區(qū)內(nèi)的最大反射電平、交叉極化度、場(chǎng)均勻性、路徑損耗、固有雷達(dá)截面、工作頻率范圍等指標(biāo)來描述。影響微波暗室性能指標(biāo)的因素是多元化的，也是很復(fù)雜的。在利用光線發(fā)射法和能量物理法對(duì)暗室性能進(jìn)行仿真計(jì)算時(shí)，需要考慮電波的傳輸去耦，極化去耦，標(biāo)準(zhǔn)天線的方向圖因素，吸波材料本身的垂直入射性能和斜入射性能，多次反射等影響。但在實(shí)際的工程設(shè)計(jì)過程中，往往以吸波材料的性能作為暗室性能的關(guān)鍵決定因素。 1）交叉極化度：由于暗室結(jié)構(gòu)的不嚴(yán)格對(duì)稱、吸波材料對(duì)各種極化波吸收的不一致性以及暗室測(cè)試系統(tǒng)等因素使電波在暗室傳播過程中產(chǎn)生極化不純的現(xiàn)象。如果待測(cè)試天線與發(fā)射天線的極化面正交和平行時(shí)，所測(cè)試場(chǎng)強(qiáng)之比小于-25dB，就認(rèn)為交叉極化度滿足要求。 2）多路徑損耗：路徑損耗不均勻會(huì)使電磁波的極化面旋轉(zhuǎn)，如果以來波方向旋轉(zhuǎn)待測(cè)試天線，接收信號(hào)的起伏不超過±0.25 dB，就可忽略多路徑損耗。 3）場(chǎng)均勻性：在暗室靜區(qū)，沿軸移動(dòng)待測(cè)試天線，要求起伏不超±2dB；在靜區(qū)的截面上，橫向和上下移動(dòng)待測(cè)天線，要求接收信號(hào)起伏不超過±0.25 dB。

　　2.天線測(cè)量的誤差 1）有限測(cè)試距離所引起的誤差。設(shè)待測(cè)的是平面天線，接收的來波沿其主波束的軸向。若測(cè)試距離大小，由待測(cè)天線之不同部位所接受的場(chǎng)不能相同，因此具有平方根律相位差。若待測(cè)天線恰位于源天線遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)的邊界2D 2 /λ，其口徑邊緣與相位中心的場(chǎng)存在22.5度的相位差。若測(cè)試距離加倍，在相位差減半。對(duì)于測(cè)量中等旁瓣電平的天線，距離2D 2 /λ通常已經(jīng)足夠，測(cè)出的增益約偏小0.06dB。測(cè)試距離縮短會(huì)使測(cè)量誤差迅速增大，旁瓣會(huì)與主波束合并成肩臺(tái)式，甚至合為一體。通常0.25 dB的錐銷使測(cè)出的增益降低約為0.1 dB，并造成近旁瓣的些許誤差。 2）反射。直射波受從周圍物體反射的干涉，在測(cè)試區(qū)域形成場(chǎng)的變化，由于該波波程差作為位置的函數(shù)而迅速變化，使起伏的長(zhǎng)度屬于波長(zhǎng)的數(shù)量級(jí)。例如比直射波低20 dB的反射波，可引起-0.92～+0.83 dB的功率誤差，具體取決于兩種之間的差異；相位測(cè)量的誤差范圍為±5.7°，但若反射波的場(chǎng)比直射波低40dB，則側(cè)出的幅度與相位分別僅有±0.09與±0.6°的誤差。反射在低旁瓣的測(cè)量中特別有害。一項(xiàng)很小的反射通過主瓣耦合到待測(cè)天線，可以完全掩蓋住耦合到旁瓣的直射波。如果相耦合的直射和反射波強(qiáng)度相等，則測(cè)出的旁瓣電平會(huì)抬高6 dB左右，或者在測(cè)得的波瓣圖中成為零點(diǎn)。 3）其他誤差。還可能導(dǎo)致天線測(cè)量產(chǎn)生誤差的因素有：低頻時(shí)與電抗近場(chǎng)的耦合可能比較顯著；測(cè)量天線的對(duì)準(zhǔn)誤差；其他干擾信號(hào)；測(cè)試電纜所引起的誤差等。