變壓器飽和現(xiàn)象

　　在高壓或低壓輸入下開機(jī)（包含輕載，重載，容性負(fù)載），輸出短路，動態(tài)負(fù)載，高溫等情況下，通過變壓器（和開關(guān)管）的電流呈非線性增長，當(dāng)出現(xiàn)此現(xiàn)象時，電流的峰值無法預(yù)知及控制，可能導(dǎo)致電流過應(yīng)力和因此而產(chǎn)生的開關(guān)管過壓而損壞。

　　變壓器飽和時的電流波形

　　容易產(chǎn)生飽和的情況：

　　1）變壓器感量太大；

　　2）圈數(shù)太少；

　　3）變壓器的飽和電流點比 IC 的最大限流點??；

　　4）沒有軟啟動。

　　解決辦法：

　　1）降低 IC 的限流點；

　　2）加強(qiáng)軟啟動，使通過變壓器的電流包絡(luò)更緩慢上升。

　　Vds 的應(yīng)力要求：最惡劣條件（最高輸入電壓，負(fù)載最大，環(huán)境溫度最高，電源啟動或短路測試）下，Vds 的最大值不應(yīng)超過額定規(guī)格的 90% Vds 降低的辦法： 1）減小平臺電壓：減小變壓器原副邊圈數(shù)比； 2）減小尖峰電壓： a. 減小漏感：變壓器漏感在開關(guān)管開通是存儲能量是產(chǎn)生這個尖峰電壓的主要原因，減小漏感可以減小尖峰電壓。 b. 調(diào)整吸收電路： ①使用 TVS 管； ②使用較慢速的二極管，其本身可以吸收一定的能量（尖峰）； ③插入阻尼電阻可以使得波形更加平滑，利于減小 EMI。 IC 溫度過高原因及解決辦法： 1）內(nèi)部的 MOSFET 損耗太大：開關(guān)損耗太大，變壓器的寄生電容太大，造成 MOSFET 的開通、關(guān)斷電流與 Vds 的交叉面積大。解決辦法：增加變壓器繞組的距離，以減小層間電容，如同繞組分多層繞制時，層間加入一層絕緣膠帶（層間絕緣） 。 2）散熱不良： IC 的很大一部分熱量依靠引腳導(dǎo)到 PCB 及其上的銅箔，應(yīng)盡量增加銅箔的面積并上更多的焊錫 3）IC 周圍空氣溫度太高： IC 應(yīng)處于空氣流動暢順的地方，應(yīng)遠(yuǎn)離零件溫度太高的零件。