記錄數(shù)據(jù)的可靠性，通常只考慮到突然掉電、寫入不完全等，往往忽略了存儲器件的使用壽命。存儲器件的擦除次數(shù)壽命是行業(yè)公認(rèn)的客觀事實(shí)，工程師只能盡量的符合器件使用規(guī)范，以免過快損耗擦寫壽命。 Nand-Flash/eMMC（帶有Flash控制器的Nand-Flash）作為一種非線性宏單元模式存儲器，為固態(tài)大容量存儲的實(shí)現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-Flash存儲器具有容量大，改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而越來越廣泛地應(yīng)用在如嵌入式產(chǎn)品、智能手機(jī)、云端存儲資料庫等業(yè)界各領(lǐng)域。 ?? 圖1 Nand-Flash與eMMC芯片 ??存儲器件使用壽命 使用了Nand-Flash的主板出現(xiàn)丟數(shù)據(jù)掉程序現(xiàn)象，是一個讓無數(shù)工程師毛骨悚然的事故。眼看著程序用著用著就消失了，只能干著急也無法下手。有經(jīng)驗(yàn)的工程師手起刀落換上一顆新物料，熬夜補(bǔ)代碼繼續(xù)撐過半個項(xiàng)目周期?；仡^無處發(fā)泄還要大刀闊斧換廠商、換品牌。與其換幾片Nand-Flash還能負(fù)擔(dān)得起，但畢竟這是一個無底洞，不如去深入探明問題原因，不然散盡家財也無法彌補(bǔ)虧空。 器件數(shù)據(jù)手冊中通常描述Nand-Flash的塊擦寫壽命達(dá)10萬次，EMMC的塊擦寫最高也會有1萬次；同理，EEPROM、SD卡、CF卡、U盤、Flash硬盤等存儲介質(zhì)在都存在寫壽命的問題。在文件系統(tǒng)向?qū)憯?shù)據(jù)的底層存儲器塊寫數(shù)據(jù)時，常規(guī)會先將塊里的數(shù)據(jù)讀出來，擦除塊干凈后，將需要寫入的數(shù)據(jù)和之前讀出來的塊數(shù)據(jù)一起在回寫到存儲器里面去，如果文件系統(tǒng)寫平衡沒有處理好，特別是要求1分鐘以內(nèi)要記錄一次數(shù)據(jù)這樣頻繁的擦寫塊操作，就有可能將Nand-Flash或EMMC的塊寫壞。 ??存儲器件掉電丟數(shù)據(jù) 文件系統(tǒng)向存儲器寫數(shù)據(jù)時，常規(guī)是先將塊里的數(shù)據(jù)讀出來，擦除塊干凈后，將需要寫入的數(shù)據(jù)和之前讀出來的塊數(shù)據(jù)一起在回寫到存儲器里面去。如果設(shè)備在擦除塊過程中或者在回寫數(shù)據(jù)過程中意外發(fā)生斷電甚至電壓不穩(wěn)定，均會造出數(shù)據(jù)丟失或者損壞。如果丟失的數(shù)據(jù)是文件系統(tǒng)的FAT表，則會造成文件系統(tǒng)崩潰。這就是引起系統(tǒng)程序無法啟動災(zāi)難性后果的原因。 ??系統(tǒng)數(shù)據(jù)保護(hù)方案 很多時候，產(chǎn)品在未出廠前燒錄程序、反復(fù)測試，無論怎樣折騰也不會出現(xiàn)丟程序的情況。這可能的因素是測試設(shè)備保證了穩(wěn)定的運(yùn)行中電源輸出，因此系統(tǒng)運(yùn)行中正常的Flash保護(hù)機(jī)制是可靠執(zhí)行的。 相對于用戶實(shí)際使用而言，想避免Flash損壞的情況。需要嚴(yán)格遵守產(chǎn)品說明使用，尤其注意避免在Flash擦除或?qū)懭脒^程中人為地突然掉電。這是存儲器件用法的一個大忌，即使完好的器件，如此不規(guī)范的使用也會大大縮短其壽命。而且不同環(huán)境下的電源系統(tǒng)五花八門，在電源不滿足功率要求情況下程序?qū)τ陔娫吹碗娏康?a target='_blank' class='arckwlink_none'>檢測閾值較低，此時強(qiáng)制啟動系統(tǒng)或執(zhí)行寫操作更會加劇系統(tǒng)耗電波動，巨大的紋波也會引起CPU對存儲的誤操作。 解決此問題對于軟件方面而言： 調(diào)試系統(tǒng)或現(xiàn)場使用時，建議使用軟件復(fù)位，避免人為頻繁的通過斷電實(shí)現(xiàn)復(fù)位操作；有斷電必要時，將打印信息添加如“系統(tǒng)加載完成”、“數(shù)據(jù)保存完畢”等指示說明后操作； 軟件采取Flash均衡保存算法，高效地調(diào)整更改數(shù)據(jù)時擦除的Flash區(qū)域大??；