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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子資料>EMI 的工程師指南第 5 部分 — 采用集成 FET 設(shè)計(jì)的 EMI 抑制技術(shù)

      EMI 的工程師指南第 5 部分 — 采用集成 FET 設(shè)計(jì)的 EMI 抑制技術(shù)

      2022-10-31 | pdf | 1.73MB | 次下載 | 2積分

      資料介紹

      簡介 本系列文章的第 1 部分至第 4 部分詳細(xì)介紹了開關(guān)電源穩(wěn)壓器引起的傳導(dǎo)發(fā)射和輻射發(fā)射，包括噪聲產(chǎn)生機(jī)制、測量要求、頻率范圍、適用的測試限值、傳播模式和寄生效應(yīng)。在第 5 部分中，我將基于這一理論基礎(chǔ)介紹抑制電磁干擾 (EMI) 的實(shí)用電路技術(shù)。? 一般來說，電路原理圖和印刷電路板 (PCB) 對于實(shí)現(xiàn)出色的 EMI 性能至關(guān)重要。第 3 部分重點(diǎn)強(qiáng)調(diào)通過謹(jǐn)慎的元器件選型和 PCB 布局盡量減小“功率回路”寄生電感的重要性。電源轉(zhuǎn)換器集成電路 (IC) 的封裝技術(shù)及其提供的 EMI 特定功能對此產(chǎn)生了巨大的影響。如第 2 部分所述，必須使用差模 (DM) 濾波方可將輸入紋波電流的幅值充分降低至滿足 EMI 合規(guī)性要求的水平。與此同時(shí)，如果需要抑制約 10MHz 以上的發(fā)射，通常使用共模 (CM) 濾波。在高頻條件下，使用屏蔽也可以獲得優(yōu)異的結(jié)果。…
      電源管理 emi
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