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這份前設(shè)計簡介發(fā)表在 2003 年 11 月 10 日的《這份前設(shè)計簡介發(fā)表在 2003 年 11 月 10 日的《電子設(shè)計電子設(shè)計》雜志上。》雜志上。范圍從 9V 到 72V 的中壓和高壓系統(tǒng)通常需要以下一種或多種電路功能:熱插拔控制、斷路器故障保護和浪涌電流限制。圖 1范圍從 9V 到 72V 的中壓和高壓系統(tǒng)通常需要以下一種或多種電路功能:熱插拔控制、斷路器故障保護和浪涌電流限制。圖 1的電路為負載(C1 和 R2)提供浪涌電流限制和可靠的斷路器功能,但僅包含一個 p 溝道 MOSFET、一個熱插拔控制器 IC 和兩個可選電阻器(R1 和 R3) . 在 MOSFET 漏極處添加一個低值電阻器可提供可調(diào)跳變點并提高工作溫度范圍內(nèi)的精度(圖 2)。的電路為負載(C1 和 R2)提供浪涌電流限制和可靠的斷路器功能,但僅包含一個 p 溝道 MOSFET、一個熱插拔控制器 IC 和兩個可選電阻器(R1 和 R3) . 在 MOSFET 漏極處添加一個低值電阻器可提供可調(diào)跳變點并提高工作溫度范圍內(nèi)的精度(圖 2)。圖 1. 標準斷路器應用。圖 1. 標準斷路器應用。圖 2. 在圖 1 的電路中添加一個跳變點調(diào)節(jié)電阻器 (R4) 可提高其初始精度和隨溫度變化的精度。圖 2. 在圖 1 的電路中添加一個跳變點調(diào)節(jié)電阻器 (R4) 可提高其初始精度和隨溫度變化的精度。對于熱插拔應用,U1 根據(jù) 9V/mS 的典型柵極驅(qū)動轉(zhuǎn)換速率限制浪涌電流。浪涌電流由公式 I = CdV/dT = CSR 給出,其中 C = 負載電容,SR 是壓擺率,由 U1 設(shè)置為 9V/mS(典型值)。對于 100μF 的負載電容,IC 將浪涌電流限制在大約 0.9A。對于熱插拔應用,U1 根據(jù) 9V/mS 的典型柵極驅(qū)動轉(zhuǎn)換速率限制浪涌電流。浪涌電流由公式 I = CdV/dT = CSR 給出,其中 C = 負載電容,SR 是壓擺率,由 U1 設(shè)置為 9V/mS(典型值)。對于 100μF 的負載電容,IC 將浪涌電流限制在大約 0.9A。U1 的斷路器功能使用內(nèi)部比較器和 MOSFET 導通電阻 (R
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