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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子資料>用于紫外發(fā)光二極管的碳化硅上的氮化鋁鎵

用于紫外發(fā)光二極管的碳化硅上的氮化鋁鎵

2023-02-21 | pdf | 0.26 MB | 次下載 | 2積分

資料介紹

一直在使用碳化硅(碳化硅)襯底生長(zhǎng)氮化鋁(AlGaN)結(jié)構(gòu),針對(duì)278nm深紫外(UV-C,100-280nm波長(zhǎng))發(fā)光二極管(LED)。使用 薄膜翻轉(zhuǎn)芯片設(shè)備的表面粗糙化,使光提取效率(LEE)比光滑表面的LED提高了3倍。在低TDD[線程位錯(cuò)密度]的碳化硅上生長(zhǎng) AlGaNLEd的能力為制造高亮度、高LEE的高亮度、高功率UVled開辟了新的方法。260-280nm的波長(zhǎng)范圍通過(guò)破壞病原體的 DNA和RNA分子實(shí)現(xiàn)有效消毒。
熱衷于對(duì)抗耐抗生素的細(xì)菌,如艱難梭菌(C。差異。),這種方法確實(shí)很難用化學(xué)方法來(lái)殺死。相比之下,紫外線消毒減少了 碳菌的差異。由于許多因素,制造高效的UV-cled一直具有挑戰(zhàn)性。材料質(zhì)量可以通過(guò)使用碳化硅而不是藍(lán)寶石,由于更緊密 的晶格和熱膨脹匹配。然而,與藍(lán)寶石不同的是,由于UV-C光的帶隙較窄,它被碳化硅強(qiáng)烈吸收。事實(shí)上,藍(lán)寶石經(jīng)常被用 于uv-cled。
二極管 發(fā)光二極管 碳化硅
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