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增加GaNSense™技術(shù)，全新GaNFast™氮化鎵功率芯片通過實(shí)時(shí)智能傳感和保護(hù)，為40億美元的手機(jī)充電器和消費(fèi)市場帶來最 高效率和可靠性 11月8日，北京–氮化鎵（GaN）功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）宣 布推出新一代采用GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片。GaNSense技術(shù)集成了關(guān)鍵、實(shí)時(shí)、智能的傳感和保護(hù)電路， 進(jìn)一步提高了納微半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)先的可靠性和穩(wěn)健性，同時(shí)增加了納微氮化鎵功率芯片技術(shù)的節(jié)能和快充優(yōu)勢(shì)。
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