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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子資料>晶閘管常見(jiàn)損壞原因分析

      晶閘管常見(jiàn)損壞原因分析

      2023-03-06 | pdf | 0.11 MB | 次下載 | 免費(fèi)

      資料介紹

      從晶閘管元件參數(shù)本身考慮，有些因素可能會(huì)造成元件的損壞，這可以從解剖大量損壞的晶閘管元件芯片上分析看出。 (1)晶閘管元件的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，芯片內(nèi)部P—N結(jié)結(jié)溫不得超過(guò)115攝氏度，當(dāng)結(jié)溫超過(guò)臨界允許結(jié)溫時(shí)，元件所能承受的阻斷電壓 將急劇下降。 (2)電壓上升率Du/dt、電流上升率DI/dt對(duì)晶閘管使用的影響。晶閘管對(duì)電壓上升率是有限的，晶閘管由導(dǎo)通轉(zhuǎn)為關(guān)斷時(shí)，電壓 突然加在元件的兩端，因?yàn)镻—N結(jié)有一定的電容量，如果電壓上升率太大，則會(huì)產(chǎn)生一定的漏電流，使元件不關(guān)斷而損壞。 晶閘管的電流上升率也是有限的。當(dāng)元件使用在電流比較大、頻率比較高的情況下，由于電流上升率較大，在芯片上電流來(lái)不 及擴(kuò)散，產(chǎn)生局部結(jié)溫過(guò)高而損壞。
      電流 晶閘管 控制線(xiàn)路
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