ISL70005SEHEV2Z抗輻射、雙輸出負(fù)載點(diǎn)、集成同步降壓和LDO評(píng)估板
資料介紹
簡(jiǎn)介
ISL70005SEHEV2Z評(píng)估板旨在評(píng)估ISL70005SEH抗輻射的 3A 降壓穩(wěn)壓器和 1A? LDO 的性能。同一塊板可用于演示ISL73005SEH部分,該部分是相同的硅芯片,具有不同的輻射保證屏蔽。該評(píng)估板針對(duì) 3V 至 5.5V 輸入操作進(jìn)行了優(yōu)化,可產(chǎn)生 3A、1.8V 至 3.3V 降壓輸出和 1A 拉/灌、1.2V LDO 輸出。電路板上的輸入和輸出連接、撥動(dòng)開(kāi)關(guān)和跳線設(shè)置為客戶提供了一個(gè)易于使用的評(píng)估平臺(tái),用于負(fù)載點(diǎn) (POL)、FPGA 和 DDR 存儲(chǔ)器電源的雙軌電源。
特性
雙負(fù)載點(diǎn)穩(wěn)壓器:3A 降壓和 1A 拉/灌 LDO
完全獨(dú)立的使能、軟啟動(dòng)和電源正常指示器
3V至5.5V工作電壓
板載瞬態(tài)負(fù)載電流發(fā)生器
應(yīng)用
負(fù)載點(diǎn) (POL),用于低功耗 FPGA 內(nèi)核、輔助和 I/O 電源電壓
用于 VDDQ 和 VTT 電源軌的 DDR 內(nèi)存電源
衛(wèi)星有效載荷分布式電源系統(tǒng)
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