使用單輸出柵極驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)高側(cè)或低側(cè)驅(qū)動(dòng)
2024-09-03 |
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資料介紹
在許多隔離式電源應(yīng)用中,功率 MOSFET 通常采用某種形式的橋配置,用于優(yōu)化電源開(kāi)關(guān)和電源變壓器,從而提 高效率。這些橋配置創(chuàng)建了高側(cè) (HS) 和低側(cè) (LS) 兩種開(kāi)關(guān)類型。UCC277xx、UCC272xx 和 LM510x 系列等專 用 HS 和 LS 柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 可在單個(gè) IC 中為 HS 開(kāi)關(guān)管以及 LS 開(kāi)關(guān)管提供輸出。 相比之下,某些應(yīng)用通過(guò)使用單輸出柵極驅(qū)動(dòng)器(例如 UCC2753x 或隔離式 UCC53xx 系列),而不是將 HS 和 LS 組合為一個(gè)半橋驅(qū)動(dòng)器,也能實(shí)現(xiàn)巨大優(yōu)勢(shì)。單輸出驅(qū)動(dòng)器的位置可以更靠近電源開(kāi)關(guān),帶來(lái)更大的布局靈活 性和更少的寄生效應(yīng),從而實(shí)現(xiàn)出色的開(kāi)關(guān)性能。
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