資料介紹
DV2003S2開發(fā)系統(tǒng)為bq2003快速充電IC提供了開發(fā)環(huán)境。DV2003S2集成了一個(gè)bg2003和一個(gè)N-FET降壓式開關(guān)模式調(diào)節(jié)器,可為2至16個(gè)NiCd或鎳氫電池提供快速充電控制。DV2003S2和DV2003S1的主要區(qū)別在于開關(guān)FET Q1。DV2003S1使用P-FET支持3.0A或更低的電池充電電流,而DV2003S2使用n-FET支持最高6.0A的充電電流。使用DV200352板之前,請(qǐng)查看bq2003數(shù)據(jù)手冊(cè)和應(yīng)用筆記“使用bq2003控制快速充電”。另請(qǐng)參考應(yīng)用筆記“使用bq2003的降壓開關(guān)電流調(diào)節(jié)”,了解O1vvswThe使用P-FET和N-FET晶體管之間的權(quán)衡??焖俪潆娡ㄟ^以下任一方式終止:AT/At,-AV、最大溫度、最大時(shí)間、最大電壓或外部禁止命令。
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